Документация
MMBT4401 SOT-23 транзистор биполярный RUME (арт. 269820)
У поставщика
ПроизводительRUME
КатегорияТранзисторы биполярные (BJTs)
У поставщиков
18 000 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 29срок до 10 дн.
Цена за шт0,45 ₽
Сумма1 350,00 ₽
до минимума склада не хватает 1 650,00 ₽
В наличии18 000 шт
заказ со склада от 3 000,00 ₽упаковка 3 000 штюрлицам и ИП
Заказ со склада «Склад 29» — от 3 000,00 ₽. С этой позицией будет 1 350,00 ₽, не хватает 1 650,00 ₽. Добавьте позиций этого склада или выберите другой.
3 000 шт · Склад 29 · 1 350,00 ₽
Описание
MMBT4401 — биполярный NPN-транзистор от производителя RUME в миниатюрном корпусе SOT-23. Предназначен для усиления и коммутации сигналов в низковольтных цепях. Отличается высокой скоростью переключения и подходит для поверхностного монтажа в компактных электронных устройствах.
Технические характеристики
| Тип | NPN Bipolar Junction Transistor |
| Тип | Биполярный транзистор |
| Маркировка | 2X |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Размеры | SOT-23 standard (3-pin, surface mount, approx 2.9×1.3×1.0mm) |
| Время спада | 60ns (Ic=150mA, Ib1=Ib2=15mA) |
| Время нарастания | 20ns (Ic=150mA, Ib1=15mA) |
| Время задержки td | 15ns (Vcc=30V, Vbe(off)=-2V) |
| Время хранения, ts | 225ns (Vcc=30V, Ic=150mA, Ib1=Ib2=15mA) |
| Ток коллектора Ic | 350mA |
| Hfe1 | 20 (Vce=1V, Ic=0.1mA) |
| Hfe2 | 40 (Vce=1V, Ic=1mA) |
| Коэффициент усиления DC hFE3 | 80 (Vce=1V, Ic=10mA) |
| Dc current gain hfe4 | 100 to 300 (Vce=1V, Ic=150mA) |
| Dc current gain hfe5 | 40 (Vce=2V, Ic=500mA) |
| Темп. перехода Tj | 150°C |
| Граничная частота ft | 250MHz (Vce=10V, Ic=20mA, f=100MHz) |
| Напряжение эмиттер-база Vebo | 6V |
| Диап. темп. хр. | -55°C to +150°C |
| Напряжение коллектор-база Vcbo | 40V |
| Ток отсечки эмиттера Iebo | 0.1μA (Veb=5V, Ic=0) |
| Ток отсечки коллектора Icbo | 0.1μA (Vcb=50V, Ie=0) |
| Ток отсечки коллектора ICEX | 0.1μA (Vce=35V, Veb=0.4V) |
| Напряжение коллектор-эмиттер Vceo | 25V |
| Pк | 300mW |
| Пробивное эмиттер-база | 6V (Ie=100μA, Ic=0) |
| Напряжение насыщения база-эмиттер Vbe sat 1 | 0.95V (Ic=150mA, Ib=15mA) |
| Напряжение насыщения база-эмиттер Vbe sat 2 | 1.2V (Ic=500mA, Ib=50mA) |
| Напряжение пробоя коллектор-база Vbrcbo | 40V (Ic=100μA, Ie=0) |
| Напряж. пробоя К-Э | 25V (Ic=1mA, Ib=0) |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCEsat) 1 | 0.4V (Ic=150mA, Ib=15mA) |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCEsat) 2 | 0.75V (Ic=500mA, Ib=50mA) |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 417°C/W |
Аналоги
- КТ660А
- MMBT4401KEEN SIDE
Заметили ошибку в описании или параметрах?