Документация
Транзистор MMBT4401
В наличии
На своём складе
2 390 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 300 | 0,41 |
| от 800 | 0,39 |
| от 2 000 | 0,38 |
| от 4 000 | 0,37 |
Описание
Транзистор биполярный NPN MMBT4401 от KEEN SIDE в миниатюрном SMD-корпусе SOT-23. Выдерживает ток коллектора до 600 мА и напряжение до 40 В, рассеиваемая мощность — 300 мВт. Работает на частоте до 250 МГц. Подходит для коммутации и усиления в бытовой электронике и промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Маркировка | 2X |
| Корпус | SOT-23 |
| Артикул | MMBT4401 |
| Выводы корпуса | 3 |
| Тип монтажа | SMD |
| Тип компонента | NPN Transistor |
| Предельные значения | { "vcbo": "60V", "vceo": "40V", "vebo": "6V", "rthja": "417°C/W", "ic_max": "600mA", "pc_max": "300mW", "tj_max": "150°C", "tstg_max": "+150°C", "tstg_min": "-55°C" } |
| Ток коллектора | 600 мА |
| Конфиг. выводов | { "pin_1": "BASE", "pin_2": "EMITTER", "pin_3": "COLLECTOR" } |
| Рассеиваемая мощность | 300 мВт |
| Темп. диапазон | { "storage_max": "+150°C", "storage_min": "-55°C", "operating_max": "+150°C", "operating_min": "-55°C" } |
| Тепловое сопротивление | 417 °C/Вт |
| Макс. коэф. усиления DC | 300 |
| Hfe мин. | 20 |
| Физические размеры | { "package_type": "SOT-23", "body_width_mm": "1.2-1.4", "lead_pitch_mm": "0.95", "lead_width_mm": "0.3-0.5", "body_height_mm": "0.9-1.05", "body_length_mm": "2.8-3.0" } |
| Темп. хранения | -55～+150 °C |
| Темп. перехода | 150 °C |
| Частота перехода | 250 МГц |
| Напряжение эмиттер-база | 6 В |
| Ток отсечки эмиттера | 0.1 мкА |
| Напряжение коллектор-база | 60 В |
| Ток отсечки коллектора | 0.1 мкА |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 40 В |
| Электрические характеристики | { "ft": "250MHz", "td": "15ns", "tf": "60ns", "tr": "20ns", "ts": "225ns", "icbo": "0.1μA", "icex": "0.1μA", "iebo": "0.1μA", "v_br_cbo": "60V", "v_br_ceo": "40V", "v_br_ebo": "6V", "hfe_at_1ma": { "min": 40, "conditions": "VCE=1V, IC=1mA" }, "hfe_at_10ma": { "min": 80, "conditions": "VCE=1V, IC=10mA" }, "hfe_at_0p1ma": { "min": 20, "conditions": "VCE=1V, IC=0.1mA" }, "hfe_at_150ma": { "max": 300, "min": 100, "conditions": "VCE=1V, IC=150mA" }, "hfe_at_500ma": { "min": 40, "conditions": "VCE=2V, IC=500mA" }, "vbe_sat_at_150ma": "0.95V", "vbe_sat_at_500ma": "1.2V", "vce_sat_at_150ma": "0.4V", "vce_sat_at_500ma": "0.75V" } |
| Напряжение пробоя эмиттер-база | 6 В |
| Напряжение насыщения база-эмиттер | 1.2 В |
| Напряжение пробоя коллектор-база | 60 В |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 40 В |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.75 В |