Документация
Транзистор MMBT4401
В наличии
На своём складе
1 680 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 300 | 0,52 |
| от 800 | 0,49 |
| от 2 000 | 0,47 |
| от 4 000 | 0,47 |
Описание
Транзистор биполярный NPN MMBT4401 от KEEN SIDE в миниатюрном SMD-корпусе SOT-23. Выдерживает ток коллектора до 600 мА и напряжение до 40 В, рассеиваемая мощность — 300 мВт. Работает на частоте до 250 МГц. Подходит для коммутации и усиления в бытовой электронике и промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Маркировка | 2X |
| Корпус | SOT-23 |
| Артикул | MMBT4401 |
| Выводы корпуса | 3 |
| Тип монтажа | SMD |
| Тип компонента | NPN Transistor |
| Предельные значения | Напряжение коллектор-база Vcbo: 60V; Напряжение коллектор-эмиттер Vceo: 40V; Напряжение эмиттер-база Vebo: 6V; RthJA: 417°C/W; Макс. ток коллектора: 600mA; Макс. Pc: 300mW; Макс. Tj: 150°C; Макс. Tstg: +150°C; Мин. Tstg: -55°C |
| Ток коллектора | 600 мА |
| Конфиг. выводов | Вывод 1: BASE; Вывод 2: EMITTER; Вывод 3: COLLECTOR |
| Рассеиваемая мощность | 300 мВт |
| Темп. диапазон | Storage max: +150°C; Storage min: -55°C; Operating max: +150°C; Operating min: -55°C |
| Тепловое сопротивление | 417 °C/Вт |
| Макс. коэф. усиления DC | 300 |
| Hfe мин. | 20 |
| Физические размеры | Тип корпуса: SOT-23; Ширина корпуса: 1.2-1.4; Lead pitch mm: 0.95; Lead width mm: 0.3-0.5; Body height mm: 0.9-1.05; Длина корпуса: 2.8-3.0 |
| Темп. хранения | -55～+150 °C |
| Темп. перехода | 150 °C |
| Частота перехода | 250 МГц |
| Напряжение эмиттер-база | 6 В |
| Ток отсечки эмиттера | 0.1 мкА |
| Напряжение коллектор-база | 60 В |
| Ток отсечки коллектора | 0.1 мкА |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 40 В |
| Электрические характеристики | Граничная частота fT: 250MHz; Время задержки td: 15ns; Tf: 60ns; Tr: 20ns; Время хранения ts: 225ns; Ток отсечки коллектор-база Icbo: 0.1μA; Ток отсечки Icex: 0.1μA; Ток отсечки эмиттер-база Iebo: 0.1μA; Напряжение пробоя коллектор-база: 60V; Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 40V; Напряжение пробоя эмиттер-база: 6V; hFE при IC=1 мА: Min: 40; Conditions: VCE=1V, IC=1mA; hFE при IC=10 мА: Min: 80; Conditions: VCE=1V, IC=10mA; hFE при IC=0,1 мА: Min: 20; Conditions: VCE=1V, IC=0.1mA; hFE при IC=150 мА: Max: 300; Min: 100; Conditions: VCE=1V, IC=150mA; hFE при IC=500 мА: Min: 40; Conditions: VCE=2V, IC=500mA; Напряжение насыщения база-эмиттер при 150 мА: 0.95V; Напряжение насыщения база-эмиттер при 500 мА: 1.2V; Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при 150 мА: 0.4V; Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при 500 мА: 0.75V |
| Напряжение пробоя эмиттер-база | 6 В |
| Напряжение насыщения база-эмиттер | 1.2 В |
| Напряжение пробоя коллектор-база | 60 В |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 40 В |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.75 В |
| Граничная частота, МГц | 250 |
| Макс. температура перехода, °C | 150 |
| Макс. температура хранения, °C | 150 |
| Макс. HFE | 300 |
| Мин. температура хранения, °C | -55 |
| Мин. HFE | 100 |
| Мощность, Вт | 0,3 |
| Напряжение насыщения КЭ, В | 0,75 |
| Напряжение, В | 40 |
| Тип транзистора | NPN |
| Ток измерения hFE, мА | 150 |
| Ток, А | 0,6 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?