Документация
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 50В 130мА SOT-23
У поставщика
ПроизводительHOTTECH
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
57 шт.
Норм. уп.: 3000
Описание
Транзистор полевой MOSFET P-канальный от HOTTECH. Работает при напряжении до 50 В и токе до 130 мА, выпускается в компактном корпусе SOT-23. Подходит для коммутации нагрузок в портативной и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Вес | 0.008g |
| Маркировка | PD |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Компонент | BSS84 |
| Описание | P-канальный MOSFET |
| Размеры мм | A max: 1.15; A min: 0.9; D max: 3; D min: 2.8; E max: 1.4; E min: 1.2; L ref: 0.55; B max: 0.5; B min: 0.3; C max: 0.15; C min: 0.08; E typ: 0.95; A1 max: 0.1; A1 min: 0; A2 max: 1.05; A2 min: 0.9; E1 max: 2.55; E1 min: 2.25; L1 max: 0.5; L1 min: 0.3; E1 max: 2; E1 min: 1.8; Theta max: 8°; Theta min: 0° |
| Лента и катушка | A: 3.15mm; B: 2.77mm; C: 1.22mm; D: Ø178mm; E: 1.75mm; F: 3.50mm; G: R78; H: R25.60; I: R6.50; P: 4.00mm; Мощность: 8.00mm; D: Ø1.50mm; D1: 54.40mm; D2: 13.00mm; P0: 4.00mm; P1: 2.00mm; W1: 9.50mm; W2: 12.30mm; Тип: SOT-23; Допуск: ±0.1mm; Reel option: 7" DIA; Reel tolerance: ±1mm |
| Размеры в дюймах | A max: 0.045; A min: 0.035; D max: 0.118; D min: 0.11; E max: 0.055; E min: 0.047; L ref: 0.022; B max: 0.02; B min: 0.012; C max: 0.006; C min: 0.003; E typ: 0.037; A1 max: 0.004; A1 min: 0; A2 max: 0.041; A2 min: 0.035; E1 max: 0.1; E1 min: 0.089; L1 max: 0.02; L1 min: 0.012; E1 max: 0.079; E1 min: 0.071; Theta max: 8°; Theta min: 0° |
| Вх. емкость | 30pF |
| Рассеиваемая мощность | 225mW |
| Время нарастания | 1ns |
| Выходная емкость | 10pF |
| Время спада | 8ns |
| Время задержки включения | 2.5ns |
| Класс горючести | 94V-0 |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Время задержки выключения | 16ns |
| Напряжение сток-исток | -50V |
| Темп. перехода | +150°C |
| Импульсный ток стока | -0.52A |
| Условия переключения | VDD=-15V, RL=50Ω, ID=-2.5A |
| Напр. диода | -2.2V |
| Импульсный ток истока | -0.52A |
| Условия измерения емкости | VDS=5V, VGS=0V, f=1MHz |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Непрерывный ток стока | -0.13A |
| Прямая крутизна | 50mS |
| Длительный ток истока | -0.13A |
| Ток утечки затвор-подложка | ±5µA |
| Диап. темп. хр. | -55~+150°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | -2V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | -0.9V |
| Drain source on resistance 1 | 10Ω |
| Drain source on resistance 2 | 8Ω |
| Обратная проходная емкость | 5pF |
| Описание (англ.) | MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23 |
| Напряжение пробоя сток-исток | -50V |
| Ток стока при нулевом напряжении затвора | -15µA |
| Условия прямого напряжения | IS=-0.13A, VGS=0V |
| Условия порогового напряжения затвора | VDS=VGS, ID=-250µA |
| Zero gate voltage drain current 2 | -0.1µA |
| Forward transconductance conditions | VDS=-25V, ID=-100mA |
| Gate body leakage current conditions | VGS=±20V, VDS=0V |
| Термосопротивление переход-среда | 556°C/W |
| Drain source on resistance 1 conditions | VGS=-5V, ID=-0.1A |
| Drain source on resistance 2 conditions | VGS=-10V, ID=-0.1A |
| Zero gate voltage drain current conditions | VDS=-50V, VGS=0V |
| Zero gate voltage drain current 2 conditions | VDS=-25V, VGS=0V |
Заметили ошибку в описании или параметрах?