Документация
Транзистор биполярный PNP средней мощности
У поставщика
ПроизводительDIODES
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
1 229 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:1 229 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 8 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 88,61 |
| от 27 | 82,08 |
| от 53 | 76,75 |
| от 105 | 72,76 |
| от 209 | 69,78 |
Описание
Транзистор биполярный PNP средней мощности от DIODES. Работает при напряжении до 100 В и токе до 2 А, рассеиваемая мощность — 1810 мВт. Выполнен в компактном корпусе SOT23-3. Подходит для схем управления нагрузкой в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | PNP |
| Green | Да |
| ESD (мм) | 400V |
| Вес | 0.008 grams |
| ЭСР HBM | 4000V |
| Маркировка | 056 |
| Корпус | SOT23 |
| Aec q101 | Да |
| Тип монтажа | SMD |
| Без свинца | Да |
| Размеры | A max: 0.51 mm; A min: 0.37 mm; A typ: 0.40 mm; B max: 1.40 mm; B min: 1.20 mm; B typ: 1.30 mm; C max: 2.50 mm; C min: 2.30 mm; C typ: 2.40 mm; D max: 1.03 mm; D min: 0.89 mm; D typ: 0.915 mm; F max: 0.60 mm; F min: 0.45 mm; F typ: 0.535 mm; G max: 2.05 mm; G min: 1.78 mm; G typ: 1.83 mm; H max: 3.00 mm; H min: 2.80 mm; H typ: 2.90 mm; J max: 0.10 mm; J min: 0.013 mm; J typ: 0.05 mm; K max: 1.00 mm; K min: 0.890 mm; K typ: 0.975 mm; L max: 0.61 mm; L min: 0.45 mm; L typ: 0.55 mm; M max: 0.150 mm; M min: 0.085 mm; M typ: 0.110 mm; K1 max: 1.10 mm; K1 min: 0.903 mm; K1 typ: 1.025 mm; L1 max: 0.55 mm; L1 min: 0.25 mm; L1 typ: 0.40 mm; Angle max: 8°; Angle min: 0° |
| Технология | Bipolar |
| Корпус | SOT23-3 |
| Соотв. RoHS | Да |
| Время включения тип. | 31 ns |
| Время выкл. тип. | 384 ns |
| Complementary part | ZXTN25100BFH |
| Чувствит. к влаге | Level 1 |
| Suggested pad layout | C: 2.0 mm; X: 0.8 mm; Y: 0.9 mm; X1: 1.35 mm; Y1: 2.9 mm |
| Макс. рассеиваемая мощность | 1.25W |
| Collector current peak | -5A |
| Макс. выходная емкость | 25 pF |
| Выходная емкость тип. | 15 pF |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Напряжение эмиттер-база макс. | -7V |
| Power dissipation note 5 | 0.73W |
| Power dissipation note 6 | 1.05W |
| Power dissipation note 8 | 1.81W |
| Transition frequency typ | 200 MHz |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Напряжение коллектор-база макс. | -140V |
| Dc current gain hfe max 1A | 105 |
| Dc current gain hfe min 1A | 55 |
| Dc current gain hfe min 2A | 15 |
| Dc current gain hfe typ 2A | 25 |
| Base emitter on voltage max | -950mV @ -2A |
| Диап. раб. темп. | -55 to +150°C |
| Непрерывный ток коллектора | -2A |
| Dc current gain hfe max 10mA | 300 |
| Dc current gain hfe min 10mA | 100 |
| Описание (англ.) | PNP 100V 2A 1810mW 3-Pin SOT-23 T/R |
| Макс. напр. К-Э | -100V |
| Макс. Uэк | -7V |
| Макс. Uбэ нас. | -1000mV @ -2A |
| Тепловое сопротивление переход-вывод | 74.95°C/W |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс. | -300mV @ -1A |
| Тип. напряжение насыщения К-Э | -130mV @ -1A |
| Collector emitter saturation resistance typ | 108mΩ |
| Thermal resistance junction to ambient note 7 | 100°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?