
Документация
Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 3 А
У поставщика
ПроизводительDIODES
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
1 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:1 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 51,85 |
| от 41 | 47,64 |
| от 82 | 44,21 |
| от 163 | 41,62 |
| от 326 | 39,69 |
Описание
Биполярный NPN транзистор от DIODES. Выдерживает напряжение до 100 В и ток до 3 А в компактном корпусе SOT23-3. Подходит для цепей управления нагрузкой в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Вес | 0.008g |
| Маркировка | 021 |
| Корпус | SOT23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Без свинца | Да |
| Артикул | ZXTN25100BFHTA |
| Без галогенов | Да |
| Корпус | SOT23-3 |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Тип компонента | Bipolar NPN Transistor |
| Соотв. RoHS | Да |
| Switching times | Время спада: 95ns; Время нарастания: 55ns; Время задержки: 16ns; Время хранения: 677ns |
| Complementary pnp | ZXTP25100BFH |
| Модель машины ЭСР | 400V |
| Рассеиваемая мощность | 1.25W |
| Импульсный ток макс. | 9A |
| ESD HBM | 8000V |
| Частота перехода | 160MHz |
| On resistance typical | 67mΩ |
| Hfe мин. | 100 at 10mA, 50 at 1A |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Напряжение эмиттер-база макс. | 7V |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Напряжение коллектор-база макс. | 170V |
| Dc current gain hfe typical | 300 at 10mA, 85 at 1A, 20 at 3A |
| Диап. раб. темп. | -55 to +150°C |
| Выходная емкость коллектора | 9.4pF typical, 20pF max |
| Continuous collector current | 3A |
| Описание (англ.) | TRANS NPN 100V 3A SOT23-3 |
| Макс. напр. К-Э | 100V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | <80mV at 1A, <250mV at 3A |
| Термосопротивление переход-среда | 100°C/W (typical, 25x25mm 2oz copper) |
| Emitter base voltage reverse blocking max | 6V |
| Collector emitter voltage forward blocking max | 170V |
Заметили ошибку в описании или параметрах?