+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
ZXTN25100BFHTA
Документация

Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 3 А

Артикул:820533
У поставщика
ПроизводительDIODES
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
1 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:1 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 151,85
от 4147,64
от 8244,21
от 16341,62
от 32639,69
Описание

Биполярный NPN транзистор от DIODES. Выдерживает напряжение до 100 В и ток до 3 А в компактном корпусе SOT23-3. Подходит для цепей управления нагрузкой в промышленной автоматике и бытовой электронике.

Технические характеристики
Вес0.008g
Маркировка021
КорпусSOT23
Тип монтажаSMD
Без свинцаДа
АртикулZXTN25100BFHTA
Без галогеновДа
КорпусSOT23-3
КвалификацияAEC-Q101
Тип компонентаBipolar NPN Transistor
Соотв. RoHSДа
Switching timesВремя спада: 95ns; Время нарастания: 55ns; Время задержки: 16ns; Время хранения: 677ns
Complementary pnpZXTP25100BFH
Модель машины ЭСР400V
Рассеиваемая мощность1.25W
Импульсный ток макс.9A
ESD HBM8000V
Частота перехода160MHz
On resistance typical67mΩ
Hfe мин.100 at 10mA, 50 at 1A
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
Напряжение эмиттер-база макс.7V
Диап. темп. хр.-55 to +150°C
Напряжение коллектор-база макс.170V
Dc current gain hfe typical300 at 10mA, 85 at 1A, 20 at 3A
Диап. раб. темп.-55 to +150°C
Выходная емкость коллектора9.4pF typical, 20pF max
Continuous collector current3A
Описание (англ.)TRANS NPN 100V 3A SOT23-3
Макс. напр. К-Э100V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер<80mV at 1A, <250mV at 3A
Термосопротивление переход-среда100°C/W (typical, 25x25mm 2oz copper)
Emitter base voltage reverse blocking max6V
Collector emitter voltage forward blocking max170V

Заметили ошибку в описании или параметрах?