Документация
Биполярный транзистор NPN 50В 3A SOT23-6
У поставщика
ПроизводительDIODES
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
470 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:462 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 10 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 70,87 |
| от 32 | 65,45 |
| от 63 | 61,00 |
| от 126 | 57,67 |
| от 252 | 55,19 |
Склад 39
В наличии:8 шт.
Срок поставки: до недели
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 27,53 |
Описание
Биполярный транзистор NPN от DIODES. Выдерживает напряжение до 50 В и ток до 3 А, выпускается в компактном корпусе SOT-23-6. Подходит для схем коммутации и усиления в бытовой электронике и портативных устройствах.
Технические характеристики
| ESD (мм) | 400V |
| Ft мин. | 100MHz |
| Ft typ | 165MHz |
| Ib max | 500mA |
| Макс. ток коллектора | 3A |
| Вес | 0.015 grams |
| ЭСР HBM | 4kV |
| Icm max | 6A |
| Корпус | SOT26 (SOT23-6) |
| Aec q101 | Да |
| Cobo max | 20pF |
| Cobo typ | 12pF |
| Тип монтажа | SMD |
| VCBO макс. | 50V |
| Vceo макс. | 50V |
| Vebo макс. | 5V |
| Vbe on typ | 0.88V @ 3A, VCE=2V |
| Тип устройства | NPN Bipolar Junction Transistor |
| Покрытие выводов | Matte Tin Plated |
| Rce sat typ | 75mΩ |
| Vbe нас. макс. | 1.0V @ 3A |
| Макс. напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 200mV @ 1A (IB=10mA), 200mV @ 2A (IB=50mA), 300mV @ 3A (IB=100mA) |
| Код маркировки | 619 |
| Корпус | SOT-23-6 |
| Материал корпуса | Molded Plastic, Green |
| Соотв. RoHS | Да |
| Коэф. усиления DC | 200-400 @ 10mA, 300-450 @ 0.2A, 200-400 @ 1A, 100-225 @ 2A, 40 typ @ 6A (VCE=2V) |
| Время включения тип. | 170ns |
| Темп. диапазон | -55 to +150°C |
| Время выкл. тип. | 750ns |
| Размеры упаковки | 2.90-3.10mm x 2.70-3.00mm x 1.00-1.30mm (body), height with leads 1.40mm max |
| Pd max short pulse | 13.6W |
| Pd max steady state | 8.8W |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Описание (англ.) | TRANS NPN 50V 3A SOT23-6 |
| Thermal resistance junction lead | 18.6°C/W |
| Thermal resistance junction ambient short | 73°C/W |
| Thermal resistance junction ambient steady | 113°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?