Документация
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 70В 3.7A автомобильного применения 4-Pin(3+Tab) SOT-223 лента на катушке
У поставщика
ПроизводительDIODES
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
1 000 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:1 000 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 51,27 |
| от 41 | 47,12 |
| от 82 | 43,70 |
| от 163 | 41,15 |
| от 326 | 39,24 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET P-канального типа от DIODES. Рабочее напряжение 70 В, ток до 3.7 А, корпус SOT-223 с четырьмя выводами. Подходит для автомобильной электроники и цепей управления нагрузкой.
Технические характеристики
| Тип | P-channel Enhancement Mode MOSFET |
| Вес | 0.112 grams |
| Корпус | SOT223 |
| Тип монтажа | SMD |
| Без свинца | Да |
| Артикул | ZXMP7A17GTA |
| Применение | Motor Control, Transformer Driving Switch, DC-DC Converters, Power Management Functions, Uninterrupted Power Supply |
| Green device | Да |
| Без галогенов | Да |
| Корпус | SOT-223 |
| Без сурьмы | Да |
| Материал корпуса | Molded Plastic, Green Molding Compound |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Соотв. RoHS | Да |
| Terminals finish | Matte Tin Annealed over Copper Leadframe |
| Заряд сток-затвор | 3.66nC |
| Вх. емкость | 635pF |
| Время нарастания | 3.4ns |
| Заряд затвор-исток | 1.77nC |
| Выходная емкость | 52pF |
| Размеры упаковки | A: 1.55-1.65mm; B: 0.60-0.80mm; C: 0.20-0.30mm; D: 6.45-6.55mm; E: 4.60mm typ; L: 0.80-1.05mm; Q: 0.84-0.94mm; A1: 0.010-0.15mm; B1: 2.90-3.10mm; E1: 6.90-7.10mm |
| Время спада | 8ns |
| Время задержки включения | 2.5ns |
| Время задержки выключения | 27.9ns |
| Voltage gate source | ±20V |
| Импульсный ток стока | -9.6A |
| Suggested pad layout | C: 2.30mm; X: 1.20mm; Y: 1.60mm; C1: 6.40mm; X1: 3.30mm; Y1: 1.60mm; Y2: 8.00mm |
| Voltage drain source | -70V |
| Время обратного восстановления | 28.5ns |
| Коэффициент снижения мощности | 16.0 mW/°C |
| Uis test in production | Да |
| Рейтинг горючести UL | 94V-0 |
| Power dissipation note5 | 2.0W |
| Power dissipation note6 | 16.0W |
| Заряд обратного восстановления | 29.5nC |
| Solderable per standard | MIL-STD-202 Method 208 |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Прямая крутизна | 4.4S |
| Total gate charge vgs 5v | 9.6nC |
| Напр. диода макс. | -0.95V |
| Тип. прямое напряжение диода | -0.85V |
| Total gate charge vgs 10v | 18nC |
| Пороговое напряжение затвора мин. | -1.0V |
| Уровень чувствительности к влаге | Level 1 |
| Длительный ток стока 25°C | -3.7A |
| Continuous drain current 70c | -2.9A |
| Обратная проходная емкость | 42.5pF |
| Описание (англ.) | MOSFET P-CH 70V 3.7A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
| Continuous drain current note5 | -2.6A |
| Напряжение пробоя сток-исток | -70V |
| Pulsed source current body diode | -9.6A |
| Continuous source current body diode | -4.8A |
| Диапазон раб. и темп. хранения | -55 to +150°C |
| Static drain source on resistance vgs 10v | 160mΩ |
| Static drain source on resistance vgs 4 5v | 250mΩ |
| Thermal resistance junction to ambient note5 | 62.5 °C/W |
| Thermal resistance junction to ambient note6 | 34 °C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?