Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 2.4A
У поставщика
ПроизводительDIODES
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
970 шт.
Норм. уп.: 1000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт46,05 ₽
Сумма921,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии970 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 20 штюрлицам и ИП
от 31 — 44,34 ₽ (−4%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 921,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 379,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
20 шт · Склад 13 · 921,00 ₽
Описание
Полевой N-канальный MOSFET-транзистор от DIODES. Рабочее напряжение 100 В, ток до 2.4 А, корпус SOT-223. Подходит для применения в автомобильной электронике и цепях управления нагрузкой.
Технические характеристики
| Вес | 0.112g |
| Корпус | SOT223 |
| Тип монтажа | SMD |
| Клеммы | Matte Tin Annealed over Copper Leadframe |
| Описание | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| Артикул | ZXMN10A11GTA |
| Без галогенов | Да |
| Без сурьмы | Да |
| Материал корпуса | Molded Plastic; UL Flammability Rating 94V-0 |
| Соотв. RoHS | Да |
| Rds on at vgs 6v | 450mΩ |
| Заряд сток-затвор | 1.5nC |
| Вх. емкость | 274pF |
| Рассеиваемая мощность | 2.0W |
| Rds(on) при Vgs 10 В | 350mΩ |
| Время нарастания | 1.7ns |
| AEC-Q101 | Да |
| Заряд затвор-исток | 1.4nC |
| Выходная емкость | 21pF |
| Время спада | 3.5ns |
| Время задержки включения | 2.7ns |
| Время задержки выключения | 7.4ns |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Current pulsed drain | 7.9A |
| Напряжение сток-исток | 100V |
| Current source pulsed | 7.9A |
| Напр. диода | 0.95V |
| Время обратного восстановления | 26ns |
| Заряд обратного восстановления | 30nC |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Current continuous drain | 2.4A |
| Current source continuous | 4.6A |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 4.0V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 2.0V |
| Уровень чувствительности к влаге | 1 |
| Диап. раб. темп. | -55°C to 150°C |
| Total gate charge at vgs 6v | 3.5nC |
| Обратная проходная емкость | 11pF |
| Total gate charge at vgs 10v | 5.4nC |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 100V 2.4A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
| Тепловое сопротивление переход-вывод | 9.8°C/W |
| Термосопротивление переход-среда | 62.5°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?