Документация
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 0.14А 0.625Вт
У поставщика
ПроизводительDIODES
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
212 шт.
Норм. уп.: 500
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:212 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 500
Минимальная партия: 8 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 96,57 |
| от 24 | 89,60 |
| от 48 | 83,90 |
| от 95 | 79,66 |
| от 189 | 76,49 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET P-канальный от DIODES. Работает при напряжении до 100 В, токе до 0.14 А и мощности 0.625 Вт, выпускается в корпусе TO92-3. Подходит для коммутации нагрузки и управления питанием в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Сопротивление сток-исток | 20Ω |
| Корпус | E-Line (TO-92 compatible) |
| Тип монтажа | THT |
| Полярность | P-channel |
| Время спада | 8ns |
| Время нарастания | 8ns |
| Технология | Vertical DMOS |
| Описание | P-channel enhancement mode vertical DMOS FET |
| Артикул | ZVP3310A |
| Корпус | TO92-3 |
| Rds on condition | VGS=-10V, ID=-150mA |
| Gate body leakage | 20nA |
| Вх. емкость | 50pF |
| Рассеиваемая мощность | 625mW |
| Выходная емкость | 15pF |
| Время задержки включения | 8ns |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Время задержки выключения | 8ns |
| Напряжение сток-исток | -100V |
| Импульсный ток стока | -1.2A |
| Gate threshold voltage | -1.5V to -3.5V |
| On state drain current | -300mA |
| Тип упаковки | Bulk (россыпь) |
| Continuous drain current | -140mA |
| Прямая крутизна | 50mS |
| Диап. темп. хр. | -55°C to +150°C |
| Диап. раб. темп. | -55°C to +150°C |
| Обратная проходная емкость | 5pF |
| Описание (англ.) | Field-effect transistor, P-channel, 100 V, 0.14 A, 0.625 W |
| Напряжение пробоя сток-исток | -100V |
| Zero gate voltage drain current | -1uA |
| Zero gate voltage drain current at 125c | -50uA |
Заметили ошибку в описании или параметрах?