Документация
Транзистор ZTX651
У поставщика
У поставщиков
25 шт.
Норм. уп.: 20
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:25 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 20
Минимальная партия: 200 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 102,13 |
| от 20 | 102,13 |
Описание
Транзистор ZTX651 от DIODES Inc. — это кремниевый NPN-биполярный транзистор в корпусе E-Line (совместим с TO-92) для монтажа в отверстия. Выдерживает напряжение коллектор-эмиттер до 60 В и постоянный ток коллектора до 2 А, с пиковым импульсным током до 6 А. Отличается высокой стойкостью к электростатическим разрядам (≥4000 В HBM) и быстрым переключением (время включения 45 нс). Подходит для промышленной автоматики и автомобильной электроники (квалифицирован по AEC-Q101).
Технические характеристики
| Тип | NPN |
| Vcbo | 80V |
| Vceo | 60V |
| Vebo | 7V |
| ESD (мм) | ≥400V |
| Вес | 0.159 grams |
| ЭСР HBM | ≥4000V |
| Маркировка | ZTX651 |
| Корпус | E-Line (TO-92 compatible) |
| Тип монтажа | THT |
| Соответствие | AEC-Q101, RoHS, Зелёный |
| Размеры | 4.37-4.77mm (D) x 3.61-4.01mm (E) x 2.16-2.41mm (A), lead pitch 1.27mm, lead length 13.00-13.97mm (L) |
| Покрытие выводов | Matte Tin Plated |
| Без галогенов | Да |
| Время включения | 45ns typ |
| Без сурьмы | Да |
| Материал корпуса | Molded plastic, green |
| Размеры мм | A: 2.16-2.41; D: 4.37-4.77; E: 3.61-4.01; F: 2.50; L: 13.00-13.97; B: 0.41-0.495; E: 1.27; L1: 2.50-3.50; E2: 2.54 |
| Ic continuous | 2A |
| Тип монтажа | сквозное отверстие |
| Время выключения | 800ns typ |
| Icm peak pulse | 6A |
| Соотв. RoHS | Да |
| Коэф. усиления DC | 70-200 at IC=50mA, VCE=2V, 80-300 at IC=100mA, VCE=2V, 40-80 at IC=2A, VCE=2V |
| Terminals finish | Matte tin plated leads |
| Модель машины ЭСР | ≥400V (Class C) |
| AEC-Q101 | Да |
| Jogged lead option | available for taped packaging |
| Выходная емкость | 30 pF max at VCB=10V, f=1MHz |
| Импульсный ток макс. | 6A |
| Дополнительные функции | Low saturation voltage <300mV @ 1A, High continuous current 2A, Peak pulse current 6A, High temperature operation up to 200°C |
| Dc current gain hfe | 70-200 (at 50mA, VCE=2V), 180-300 (at 500mA, VCE=2V), 40-80 (at 2A, VCE=2V) |
| Класс горючести | UL 94V-0 |
| Напряжение эмиттер-база | 7V |
| ESD HBM | ≥4000V (Class 3A) |
| Напряжение коллектор-база | 80V |
| Ток отсечки эмиттера | 0.1µA (max at 6V) |
| Power dissipation note6 | 1.5W |
| Power dissipation note7 | 1W |
| Ток отсечки коллектора | 0.01µA (max at 60V), 1µA (max at 60V, Tamb=100°C) |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 60V |
| Диап. темп. хр. | -55 to +200°C |
| Диап. раб. темп. | -55 to +200°C |
| Base emitter turn on voltage | 0.8V typ, 1V max at IC=1A, VCE=2V |
| Continuous collector current | 2A |
| Current gain bandwidth product | 140 MHz min, 175 MHz typ |
| Напряжение пробоя эмиттер-база | 7V |
| Напр. нас. база-эмиттер | 0.9V typ, 1.25V max at IC=1A, IB=100mA |
| Напряжение пробоя коллектор-база | 80V |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 60V |
| Тепловое сопротивление переход-вывод | 70°C/W |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 120mV typ, 300mV max at IC=1A, IB=100mA, 220mV typ, 350mV max at IC=2A, IB=200mA |
| Thermal resistance junction lead note8 | 70°C/W |
| Thermal resistance junction ambient note6 | 116°C/W |
| Thermal resistance junction ambient note7 | 175°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient note6 | 116°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient note7 | 175°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?