Документация
Модуль тиристорный 1200В 150А YZPST-SKKT92/12E
У поставщика
ПроизводительYZPST
КатегорияДиодные модули
У поставщиков
186 шт.
Норм. уп.: 16
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:163 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 16
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 1 109,86 |
Склад 13
В наличии:23 шт
Срок поставки: до недели
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 1 439,39 |
| от 2 | 1 370,44 |
| от 4 | 1 314,28 |
| от 8 | 1 272,59 |
| от 15 | 1 241,56 |
Описание
Тиристорный модуль YZPST SKKT92/12E — это силовой полупроводниковый компонент сдвоенного типа (два SCR в одном корпусе). Рассчитан на напряжение 1200 В и ток 150 А, что обеспечивает надежную коммутацию в мощных цепях. Применяется в промышленной автоматике, преобразователях частоты и системах управления электроприводами.
Технические характеристики
| I²t | 20KA2s |
| I h | 250mA |
| I l | 600mA |
| T q | 100μs |
| V t | 1.65V |
| I dd | 20mA |
| I gd | 6mA |
| I gt | 35mA |
| I rd | 20mA |
| T gd | 1μs |
| T gr | 2μs |
| T vj | -40…+125°C |
| Тип | YZPST-SKKT92/12E/16E |
| V gd | 0.25V |
| V gt | 1.0V |
| I rms | 150A |
| I tsm | 2000A |
| T stg | -40…+125°C |
| V drm | 1200V |
| VRRM | 1200V |
| V rsm | 1300V |
| I t av | 95A |
| V isol | 3600/3000V |
| Ток, А | 150A |
| Корпус | Thyristor Module |
| R th cs | 0.2K/W |
| R th jc | 0.28K/W |
| Напряжение, В | 1200V |
| Di dt cr | 150A/μs |
| Dv dt cr | 1000V/μs |
| Особенности | Heat transfer through aluminium nitride ceramic isolated metal baseplate, Precious metal pressure contacts for high reliability, Thyristor with amplifying gate |
| Тип монтажа | baseplate |
| V drm 16e | 1600V |
| V rrm 16e | 1600V |
| V rsm 16e | 1700V |
| Описание | Thyristor Modules |
| Артикул | YZPST-SKKT92/12E |
| Применение | DC motor control, AC motor starters, Temperature control, Professional light dimming |
| Производитель | YANGZHOU POSITIONING TECH. CO., LTD |
| I2t conditions | Tvj=25°C; 8.3…10ms |
| I h conditions | Tvj=25°C; typ./max. |
| I l conditions | Tvj=25°C; RG=33Ω; typ./max. |
| T q conditions | Tvj=125°C |
| V t conditions | Tvj=25°C; IT=300A max. |
| I dd conditions | Tvj=125°C; VRD=VRRM; VDD=VDRM max. |
| I gd conditions | Tvj=125°C; d.c. max. |
| I gt conditions | Tvj=25°C; d.c. min. |
| I rd conditions | Tvj=125°C; VRD=VRRM; VDD=VDRM max. |
| T gd conditions | Tvj=25°C; IG=1A; diG/dt=1A/μs |
| T gr conditions | VD=2/3VDRM |
| V gd conditions | Tvj=125°C; d.c. max. |
| V gt conditions | Tvj=25°C; d.c. min. |
| I tsm conditions | Tvj=25°C; 10ms |
| I t av conditions | sin. 180; Tc=85°C |
| V isol conditions | a.c. 50Hz; r.m.s.; 1s/1min. |
| R th cs conditions | per thyristor/per module |
| R th jc conditions | per thyristor/per module |
| Di dt cr conditions | Tvj=125°C max. |
| Dv dt cr conditions | Tvj=125°C max. |
| Тип упаковки | Штучный товар |
| Описание (англ.) | dual thyristor module (SCR), 1200 V, 150 A |
| Обратное напряжение, В | 1200 |
| Прямой ток, А | 150 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?