Документация
YJS4409A, одиночный P-канальный усиленный FET транзистор, -30В, -18А, 3.4Вт (SOP-8)
У поставщика
ПроизводительYJ
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
7 500 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:7 482 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 4000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 11,12 |
Склад 12
В наличии:18 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 500 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 23,81 |
| от 50 | 20,39 |
| от 500 | 19,71 |
Описание
YJS4409A — P-канальный полевой транзистор от производителя YJ (Yangzhou Yangjie). Компонент рассчитан на напряжение до -30 В, непрерывный ток до -18 А и рассеиваемую мощность 3,4 Вт, выпускается в компактном корпусе SOP-8 для поверхностного монтажа. Благодаря низкому сопротивлению открытого канала (от 5,5 мОм) подходит для коммутации нагрузки и защиты от обратной полярности в промышленной автоматике и силовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| Маркировка | Q4409 |
| Корпус | SOP-8 |
| Макс. Vds | -30V |
| Макс. Vgs | ±25V |
| Тип монтажа | SMD |
| Ток стока импульсный | -72A |
| Артикул | YJS4409A |
| Производитель | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. |
| Корпус | SOP-8 |
| Соотв. RoHS | Да |
| Rds on vgs neg6v | 8.5mΩ |
| Заряд сток-затвор | 17.3nC |
| Ток стока непрерывный 25C | -18A |
| Непрерывный ток стока 70°C | -14.4A |
| Вх. емкость | 4850pF |
| Рассеиваемая мощность | 3.4W |
| Rds on vgs neg10v | 6.0mΩ |
| Rds on vgs neg20v | 5.5mΩ |
| Полный заряд затвора | 77.2nC |
| Время нарастания | 21ns |
| Заряд затвор-исток | 13.5nC |
| Выходная емкость | 674pF |
| Rds on vgs neg4 5v | 10mΩ |
| Время спада | 64ns |
| Время задержки включения | 16ns |
| Структура | P-канал |
| Время задержки выключения | 105ns |
| Время обратного восстановления | 30ns |
| Заряд обратного восстановления | 14.0nC |
| Макс. темп. хр. | 150°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Темп. перехода мин. | -55°C |
| Напр. диода макс. | -1.2V |
| Gate body leakage current | ±100nA |
| Пороговое напряжение затвора макс. | -2.5V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | -1.0V |
| Тип. пороговое Uзи | -1.5V |
| Обратная проходная емкость | 624pF |
| Энергия одиноч. импульса | 136mJ |
| Zero gate voltage drain current | -1μA |
| Термосопротивление переход-среда | 36.7°C/W |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 18 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3.4 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?