Документация
YJS12G10A, транзистор 100B 12A 3.1Вт SOP-8 (=IRF7853TRPBF)
У поставщика
ПроизводительYJ
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
6 006 шт.
Норм. уп.: 100
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:5 636 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 4000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 12,31 |
Склад 12
В наличии:370 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 100
Минимальная партия: 1000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 3,11 |
| от 100 | 2,66 |
| от 1 000 | 2,53 |
Описание
Транзистор YJS12G10A от YJ — это мощный N-канальный MOSFET в корпусе SOP-8. Компонент рассчитан на напряжение 100 В и ток 12 А, рассеиваемая мощность — 3,1 Вт. Благодаря технологии Split Gate Trench MOSFET обеспечивает низкое сопротивление и быстрое переключение. Подходит для импульсных источников питания и DC/DC-преобразователей.
Технические характеристики
| RoHS | Да |
| Маркировка | Q12G10 |
| Корпус | SOP-8 |
| Тип монтажа | SMD |
| Ширина корпуса | 3.8-4.0mm |
| Макс. высота | 1.75mm |
| Шаг выводов | 1.27mm |
| Технология | Split Gate Trench MOSFET |
| Длина корпуса | 4.8-5.0mm |
| Корпус | SOP-8 |
| Количество в катушке | 4000 |
| Gate resistance | 1Ω |
| Заряд сток-затвор | 2.4nC |
| Вх. емкость | 1135pF |
| Полный заряд затвора | 16nC |
| Время нарастания | 11ns |
| Заряд затвор-исток | 5.6nC |
| Выходная емкость | 399pF |
| Время спада | 15.8ns |
| Время задержки включения | 39.2ns |
| Структура | P-канал |
| Время задержки выключения | 53.2ns |
| Drain current pulsed | 70A |
| Напр. диода | 1.3V |
| Время обратного восстановления | 39.8ns |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Заряд обратного восстановления | 42nC |
| Общая рассеиваемая мощность | 3.1W |
| Макс. напряжение сток-исток | 100V |
| Gate body leakage current | ±100nA |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 4.0V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 2.0V |
| Тип. пороговое Uзи | 2.8V |
| Диапазон темп. перехода | -55 to 150°C |
| Drain current continuous 25c | 12A |
| Обратная проходная емкость | 18pF |
| Avalanche energy single pulse | 80mJ |
| Body diode continuous current | 12A |
| Drain current continuous 100c | 7.5A |
| Мин. напряжение сток-исток пробоя | 100V |
| Zero gate voltage drain current 25c | 1µA |
| Макс. сопротивление сток-исток вкл. | 17mΩ |
| Тип. сопротивление сток-исток | 14.5mΩ |
| Thermal resistance junction lead steady state max | 24°C/W |
| Thermal resistance junction lead steady state typ | 16°C/W |
| Thermal resistance junction ambient t less 10s max | 40°C/W |
| Thermal resistance junction ambient t less 10s typ | 31°C/W |
| Thermal resistance junction ambient steady state max | 75°C/W |
| Thermal resistance junction ambient steady state typ | 59°C/W |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 12 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3.1 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?