Документация
YJS10N04A, Транзистор N канал 40В 10А 3Вт SOP-8
У поставщика
ПроизводительYJ
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
4 333 шт.
Норм. уп.: 100
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:3 400 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 100
Минимальная партия: 1000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 7,25 |
| от 100 | 5,57 |
| от 1 000 | 5,30 |
Склад 39
В наличии:933 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 4000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 3,49 |
Описание
Транзистор YJS10N04A от YJ — N-канальный полевой MOSFET с напряжением 40 В и током до 10 А. Выполнен в компактном корпусе SOP-8 для поверхностного монтажа, рассеиваемая мощность — 3 Вт. Подходит для цепей управления питанием и коммутации в бытовой электронике и промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Тип | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| Корпус | SOP-8 |
| Тип монтажа | SMD |
| Артикул | YJS10N04A |
| Корпус | SOP-8 |
| Соотв. RoHS | Да |
| Заряд сток-затвор | 6.3nC |
| Вх. емкость | 917pF |
| Полный заряд затвора | 23.6nC |
| Время нарастания | 56ns |
| Заряд затвор-исток | 4.4nC |
| Выходная емкость | 128pF |
| Время спада | 72ns |
| Время задержки включения | 10ns |
| Время задержки выключения | 27ns |
| Drain current pulsed | 50A |
| Напр. диода | 0.85-1.2V |
| Мощн. рас. 25°C | 3.0W |
| Время обратного восстановления | 7ns |
| Power dissipation 100c | 1.2W |
| Заряд обратного восстановления | 0.4nC |
| Voltage gate source max | ±20V |
| Voltage drain source max | 40V |
| Gate body leakage current | ±100nA |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 2.5V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 1.0V |
| Тип. пороговое Uзи | 1.5V |
| Диап. раб. темп. | -55 to +150°C |
| Drain current continuous 25c | 10A |
| Обратная проходная емкость | 108pF |
| Avalanche energy single pulse | 70mJ |
| Body diode continuous current | 10A |
| Drain current continuous 100c | 7A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 40V |
| Zero gate voltage drain current | 1μA |
| Тепловое сопротивление переход-вывод | 30 °C/W |
| Термосопротивление переход-среда | 41.5 °C/W |
| Static drain source on resistance vgs10v | 15mΩ max (12.5mΩ typ) |
| Static drain source on resistance vgs4 5v | 24mΩ max (15.5mΩ typ) |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?