Документация
Транзистор полевой YJP30GP10A
У поставщика
У поставщиков
904 шт.
Норм. уп.: 50
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт15,74 ₽
Сумма787,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии904 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 50 штюрлицам и ИП
от 100 — 15,04 ₽ (−4%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 787,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 513,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
50 шт · Склад 13 · 787,00 ₽
Описание
Полевой транзистор YJP30GP10A от Yangjie работает с напряжением до 100 В и током до 30 А. Выполнен в корпусе TO-220 для удобного монтажа. Подходит для импульсных источников питания и схем управления нагрузкой в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Тип | полевые (FETs, MOSFETs) |
| Корпус | TO-220AB |
| Тип монтажа | Выводной |
| Описание | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| Артикул | YJP30GP10A |
| Без галогенов | Да |
| Соотв. RoHS | Да |
| Rds on vgs10v max | 56mΩ |
| Rds on vgs10v typ | 42mΩ |
| Rds on vgs4 5v max | 62mΩ |
| Rds on vgs4 5v typ | 46mΩ |
| Энергия лавины EAS | 162mJ |
| Время нарастания при включении (tr) | 39ns |
| Заряд затвор-сток (Qgd) | 8.6nC |
| Кол-во в коробке | 5000 pcs |
| Способ поставки упаковки | трубка |
| Время спада при выключении (tf) | 105.3ns |
| Заряд затвор-исток (Qgs) | 7.8nC |
| Входная ёмкость Ciss | 2100pF |
| Напряжение затвор-исток, В | ±20V |
| Выходная ёмкость Coss | 236pF |
| Напряжение сток-исток, В | -100V |
| Импульсный ток стока | -120A |
| Total gate charge qg 10v | 40nC |
| Задержка включения (td on) | 13ns |
| Прямое напряжение диода, В | -1.3V |
| Время обратного восстановления | 104ns |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Total gate charge qg 4 5v | 19.4nC |
| Диапазон темп. перехода | -55 to +150°C |
| Minimum inner box quantity | 50 pcs |
| Задержка выключения | 100.1ns |
| Заряд обратного восстановления, Qrr | 280nC |
| Ток утечки затвор-подложка (IGSS) | ±100nA |
| Total power dissipation pd tc25 | 125W |
| Непрерывный ток стока, Tc 25 °C | -30A |
| Пороговое напряжение затвора VGS(th), макс. | -2.5V |
| Пороговое напряжение затвора VGS(th), мин. | -1.0V |
| Тип. пороговое напряжение затвора VGS(th) | -1.8V |
| Total power dissipation pd tc100 | 50W |
| Непрерывный ток стока, Tc 100 °C | -19.2A |
| Обратная проходная ёмкость (Crss) | 48pF |
| Drain source breakdown voltage bvds | -100V |
| Тепловое сопротивление переход-корпус, макс. | 1.0°C/W |
| Тепловое сопротивление переход-корпус, тип. | 0.8°C/W |
| Maximum body diode continuous current is | -30A |
| Zero gate voltage drain current idss tc25 | -1μA |
| Zero gate voltage drain current idss tc55 | -5μA |
| Thermal resistance junction ambient 10s max | 15°C/W |
| Thermal resistance junction ambient 10s typ | 12°C/W |
| Thermal resistance junction ambient steady max | 60°C/W |
| Thermal resistance junction ambient steady typ | 50°C/W |
| Напряжение, В | 100 |
| Ток, А | 30 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?