Документация
YJL3400A, N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 30В, 5.6А [SOT-23] = IRLML6346
У поставщика
ПроизводительYJ
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
649 шт.
Норм. уп.: 100
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:634 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 5,83 |
| от 634 | 4,85 |
| от 1 056 | 4,31 |
| от 1 760 | 3,88 |
| от 2 933 | 3,58 |
Склад 12
В наличии:15 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 100
Минимальная партия: 3000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 3,11 |
| от 100 | 2,38 |
| от 1 000 | 2,27 |
Описание
YJL3400A — N-канальный MOSFET транзистор от Yangzhou Yangjie (YJ) в корпусе SOT-23 для поверхностного монтажа. Компонент рассчитан на напряжение 30 В и постоянный ток 5,6 А, отличается низким сопротивлением открытого канала и быстрым переключением. Подходит для цепей питания, DC/DC-преобразователей и коммутации нагрузки в портативной и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Время спада | 10ns |
| Время нарастания | 52ns |
| Технология | Trench Power LV MOSFET |
| Производитель | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Заряд сток-затвор | 1.7nC |
| Вх. емкость | 530pF |
| Полный заряд затвора | 4.8nC |
| Заряд затвор-исток | 1.2nC |
| Выходная емкость | 130pF |
| Время задержки включения | 12ns |
| Структура | N-канал |
| Напряжение затвор-исток | ±12V |
| Время задержки выключения | 17ns |
| Drain current pulsed | 23A |
| Напряжение сток-исток | 30V |
| Напр. диода макс. | 1.2V |
| Тип. прямое напряжение диода | 0.8V |
| Диап. темп. хр. | -55°C to 150°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 1.4V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 0.5V |
| Тип. пороговое Uзи | 0.9V |
| Диапазон темп. перехода | -55°C to 150°C |
| Обратная проходная емкость | 36pF |
| Gate body leakage current max | ±100nA |
| Total power dissipation at 25c | 1.2W |
| Drain current continuous at 25c | 5.6A |
| Drain current continuous at 70c | 4.5A |
| Body diode continuous current max | 5.6A |
| Zero gate voltage drain current max | 1µA |
| Термосопротивление переход-среда | 104°C/W |
| Static drain source on resistance vgs 2.5v id 3a max | 51mΩ |
| Static drain source on resistance vgs 2.5v id 3a typ | 33mΩ |
| Static drain source on resistance vgs 4.5v id 5a max | 33mΩ |
| Static drain source on resistance vgs 4.5v id 5a typ | 25mΩ |
| Static drain source on resistance vgs 10v id 5.6a max | 27mΩ |
| Static drain source on resistance vgs 10v id 5.6a typ | 21mΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.6 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?