+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
YJL2305A
Документация

YJL2305A, P-канальный транзистор, -15В, -5.6А SOT-23 (SCL2305A)

Артикул:1207223
У поставщика
ПроизводительYJ
У поставщиков
777 шт.
Норм. уп.: 100
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
100 шт · Склад 39 · 707,00 ₽
Описание

YJL2305A — P-канальный MOSFET от YJ в корпусе SOT-23 для поверхностного монтажа. Работает при напряжении до -15 В и токе до -5.6 А, сопротивление открытого канала от 25 мОм. Подходит для управления нагрузкой в портативных устройствах и цепях защиты от переполюсовки.

Технические характеристики
ТипP-Channel Enhancement Mode MOSFET
КорпусSOT-23
Тип монтажаSMD
ТехнологияTrench Power LV MOSFET
Время спада12ns
Время нарастания63ns
Пороговое напряжение затвор-исток-0.4V to -1.0V, typ -0.62V
Соотв. RoHSДа
Rds on vgs neg1 870mΩ (max), 44mΩ (typ)
Rds on vgs neg2 553mΩ (max), 32mΩ (typ)
Rds on vgs neg4 536.4mΩ (max), 25mΩ (typ)
СтруктураP-канал
Задержка включения, td on15ns
Полный заряд затвора Qg7.2nC
Заряд затвор-сток Qgd1.6nC
Задержка выключения, td off21ns
Входная емкость Ciss790pF
Igss gate body leakage±100nA
Заряд затвор-исток Qgs1.2nC
Выходная емкость Coss130pF
Vgs gate source voltage±10V
Bv dss breakdown voltage-15V (min)
Idm pulsed drain current-23A
Rθja thermal resistance105°C/W
Vds drain source voltage-15V
Is max body diode current-5.6A
Прямое напряжение диода Vs-d-0.8V to -1.2V
Pd total power dissipation1.2W
Idss zero gate drain current-1μA
Tj junction temperature range-55°C to 150°C
Tstg storage temperature range-55°C to 150°C
Id continuous drain current 25c-5.6A
Id continuous drain current 70c-4.5A
Обр. проходная емкость Crss85pF
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В15
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А5.6

Заметили ошибку в описании или параметрах?