Документация
YJL2303A, P-канальный усиленный MOSFET транзистор, -30В, -3А, [SOT-23] = IRLML5203TRPBF
У поставщика
ПроизводительYJ
У поставщиков
10 шт.
Норм. уп.: 100
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:10 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 100
Минимальная партия: 1000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 3,11 |
| от 100 | 2,06 |
| от 1 000 | 1,96 |
Технические характеристики
| Тип | P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| Маркировка | A |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Технология | Trench Power LV MOSFET |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Вх. емкость | 375pF |
| Рассеиваемая мощность | 1.1W |
| Rds on at vgs 10v | 85mΩ |
| Threshold voltage | -1.5V |
| Полный заряд затвора | 4.2nC |
| Время нарастания | 61ns |
| Выходная емкость | 63pF |
| Rds on at vgs 4 5v | 105mΩ |
| Время спада | 10ns |
| Время задержки включения | 14ns |
| Структура | P-канал |
| Темп. хранения | -55°C to +150°C |
| Время задержки выключения | 19ns |
| Voltage gate source | 20V |
| Drain current pulsed | 13A |
| Voltage drain source | 30V |
| Напр. диода | -0.8V |
| Drain current continuous | 3.0A |
| Обратная проходная емкость | 47pF |
| Body diode continuous current | 3.0A |
| Рабочая температура перехода | -55°C to +150°C |
| Термосопротивление переход-среда | 113°C/W |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3 |