Документация
Транзистор полевой YJL2301C
У поставщика
У поставщиков
6 000 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт4,42 ₽
Сумма884,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии6 000 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 200 штюрлицам и ИП
от 402 — 3,71 ₽ (−16%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 884,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 416,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
200 шт · Склад 13 · 884,00 ₽
Описание
Полевой транзистор YJL2301C от Yangjie — это P-канальный MOSFET. Работает при напряжении до 20 В и токе до 3 А, имеет низкое сопротивление открытого канала. Корпус SOT-23 подходит для компактного монтажа. Применяется в схемах управления питанием и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | полевые (FETs, MOSFETs) |
| RoHS | Соответствует |
| Корпус | SOT-23 |
| Упаковка | Маркировка: S1.; Код упаковки: F2; Способ поставки: 7" reel; Количество во внутренней коробке: 30000; Кол-во в коробке: 120000; Мин. количество в упаковке: 3000 |
| Особенности | High Power and Current handing capability, Low Gate Charge, Moisture Sensitivity Level 1, Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating, Halogen Free |
| Тип монтажа | SMD |
| Технология | Trench Power LV MOSFET |
| Применение | PWM applications, Power management, Load switch |
| Краткое описание | Id: -3.4A; Напряжение сток-исток: -20V; Сопротивление сток-исток при Vgs 1,8 В: <100mohm; Rds(on) при Vgs 2.5 В: <67mohm; RDS(on) при VGS 4,5 В: <51mohm |
| Предельные значения | Напряжение затвор-исток: ±10V; Drain current tc 25c: -3.4A; Drain current tc 70c: -2.7A; Напряжение сток-исток: -20V; Импульсный ток стока: -14A; Total power dissipation tc 25c: 1W; Total power dissipation tc 70c: 0.64W; Диапазон температур перехода и хранения: -55～+150°C; Термосопротивление переход-среда: 125°C/W |
| Электрические характеристики | Static parameters: Напр. диода: Max: -1.2V; Condition: I_S=-3.4A, V_GS=0V; Пороговое напряжение затвора: Max: -1.0V; Min: -0.4V; Typ: -0.62V; Condition: V_DS=V_GS, I_D=-250μA; Ток утечки затвор-подложка: Max: ±100nA; Condition: V_GS=±10V, V_DS=0V; Напряжение пробоя сток-исток: Min: -20V; Condition: V_GS=0V, I_D=-250μA; Ток стока при нулевом напряжении затвора: Max: -1μA; Condition: V_DS=-20V, V_GS=0V; Сопротивление сток-исток в открытом состоянии: Vgs 1 8v: Max: 100mΩ; Typ: 86mΩ; Condition: V_GS=-1.8V, I_D=-2.5A; Vgs 2 5v: Max: 67mΩ; Typ: 55mΩ; Condition: V_GS=-2.5V, I_D=-3.0A; Vgs 4 5v: Max: 51mΩ; Typ: 42mΩ; Condition: V_GS=-4.5V, I_D=-3.4A; Maximum body diode continuous current: -3.4A; Dynamic parameters: Вх. емкость: Typ: 438pF; Condition: V_DS=-10V, V_GS=0V, f=1MHz; Выходная емкость: Typ: 76pF; Condition: V_DS=-10V, V_GS=0V, f=1MHz; Обратная проходная емкость: Typ: 62pF; Condition: V_DS=-10V, V_GS=0V, f=1MHz; Switching parameters: Заряд сток-затвор: Typ: 1.24nC; Condition: V_GS=-4.5V, V_DS=-10V, I_D=-3.4A; Полный заряд затвора: Typ: 5.41nC; Condition: V_GS=-4.5V, V_DS=-10V, I_D=-3.4A; Время нарастания: Typ: 21.8ns; Condition: V_GS=-4.5V, V_DS=-10V, I_D=-1A, R_GEN=3Ω; Заряд затвор-исток: Typ: 1.17nC; Condition: V_GS=-4.5V, V_DS=-10V, I_D=-3.4A; Время спада: Typ: 34ns; Condition: V_GS=-4.5V, V_DS=-10V, I_D=-1A, R_GEN=3Ω; Время задержки включения: Typ: 6.4ns; Condition: V_GS=-4.5V, V_DS=-10V, I_D=-1A, R_GEN=3Ω; Время задержки выключения: Typ: 37.4ns; Condition: V_GS=-4.5V, V_DS=-10V, I_D=-1A, R_GEN=3Ω; Время обратного восстановления: Typ: 24.5ns; Condition: I_F=-3.4A, di/dt=100A/μs; Заряд обратного восстановления: Typ: 4nC; Condition: I_F=-3.4A, di/dt=100A/μs |
Заметили ошибку в описании или параметрах?