Документация
YJG55G10A, одиночный N-канальный полевой транзистор в режиме усиления, 100В, 55А, 89Вт (PDFN5060-8L)
У поставщика
ПроизводительYJ
У поставщиков
3 700 шт.
Норм. уп.: 139
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:3 700 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 139
Минимальная партия: 1390 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 31,05 |
| от 139 | 27,63 |
| от 1 390 | 26,77 |
Описание
YJ YJG55G10A — одиночный N-канальный полевой транзистор в режиме усиления. Работает при напряжении до 100 В, токе до 55 А и мощности 89 Вт, выпускается в компактном корпусе PDFN5060-8L для поверхностного монтажа. Подходит для импульсных источников питания и силовой электроники.
Технические характеристики
| Тип | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| Маркировка | YJG55G10A |
| Корпус | PDFN5060-8L |
| Тип монтажа | SMD |
| Компонент | YJG55G10A |
| Корпус | PDFN5060 |
| Соотв. RoHS | Да |
| Gate resistance rg | 1.4Ω |
| Структура | N-канал |
| Класс горючести | UL 94 V-0 |
| Avalanche energy eas | 144mJ |
| Total gate charge qg | 30nC |
| Turn on rise time tr | 52ns |
| Gate drain charge qgd | 4nC |
| Размеры корпуса мм | A: 1.00-1.20; B: 0.31-0.51; D: 5.15-5.55; E: 5.95-6.35; A1: 0.254 BSC; A2: 0.10; D1: 3.92-4.32; D2: 5.00-5.40; E1: 3.52-3.92; E2: 5.66-6.06; E3: 0.254 REF; E4: 0.21 REF; L1: 0.56-0.76; L2: 0.50 BSC; E pitch: 1.27 BSC |
| Turn off fall time tf | 77ns |
| Gate source charge qgs | 9nC |
| Input capacitance ciss | 1800pF |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Output capacitance coss | 590pF |
| Макс. напряжение сток-исток | 100V |
| Pulsed drain current max | 170A |
| Turn on delay time td on | 13ns |
| Diode forward voltage vsd | 0.9V typ, 1.2V max |
| Reverse recovery time trr | 35ns |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Диапазон темп. перехода | -55 to +150°C |
| Уровень чувствительности к влаге | 1 |
| Turn off delay time td off | 26ns |
| Reverse recovery charge qrr | 26nC |
| Gate body leakage current igss | ±100nA |
| Total power dissipation ta 25c | 2.5W |
| Total power dissipation tc 25c | 89W |
| Drain current continuous ta 25c | 11A |
| Drain current continuous tc 25c | 55A |
| Total power dissipation ta 100c | 1W |
| Total power dissipation tc 100c | 35W |
| Drain current continuous ta 100c | 7A |
| Drain current continuous tc 100c | 34A |
| Gate threshold voltage vgs th max | 3V |
| Gate threshold voltage vgs th min | 1V |
| Gate threshold voltage vgs th typ | 1.7V |
| Reverse transfer capacitance crss | 20pF |
| Drain source breakdown voltage bvdss | 100V |
| Maximum body diode continuous current is | 55A |
| Zero gate voltage drain current idss 25c | 1µA |
| Zero gate voltage drain current idss 150c | 100µA |
| Static drain source on resistance vgs 10v id 20a max | 12mΩ |
| Static drain source on resistance vgs 10v id 20a typ | 9mΩ |
| Thermal resistance junction to case steady state max | 1.4°C/W |
| Thermal resistance junction to case steady state typ | 1.1°C/W |
| Static drain source on resistance vgs 4.5v id 20a max | 16mΩ |
| Static drain source on resistance vgs 4.5v id 20a typ | 12mΩ |
| Static drain source on resistance vgs 10v id 27.5a max | 12mΩ |
| Static drain source on resistance vgs 10v id 27.5a typ | 9mΩ |
| Thermal resistance junction to ambient steady state max | 50°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient steady state typ | 40°C/W |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 55 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 89 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?