Документация
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 25A PDFN5060-8L
У поставщика
ПроизводительYangjie
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
302 шт.
Норм. уп.: 5000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт42,43 ₽
Сумма848,60 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии302 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 20 штюрлицам и ИП
от 25 — 40,31 ₽ (−5%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 848,60 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 451,40 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
20 шт · Склад 13 · 848,60 ₽
Описание
Транзистор полевой MOSFET P-канальный от Yangjie. Рассчитан на напряжение 100 В и ток до 25 А при мощности 28,8 Вт. Выполнен в компактном корпусе PDFN5060-8L для поверхностного монтажа. Подходит для цепей управления питанием, защиты от переполюсовки и преобразователей напряжения в промышленной и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Id | -25A |
| Ток изоляции | -25A |
| Tf | 105.3 ns |
| Tr | 39 ns |
| Eas | 162 mJ |
| MSL | Уровень 1 |
| Заряд затвор-сток | 8.6 nC |
| Заряд затвор-исток | 7.8 nC |
| Заряд обратного восстановления | 280 nC |
| TRR | 104 ns |
| Напряжение сток-исток | -100V |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Vsd | -1.3V |
| Ciss | 2100 pF |
| Coss | 236 pF |
| Crss | 48 pF |
| IGSS | ±100 nA |
| RoHS | Да |
| Td(вкл) | 13 ns |
| Bv dss | -100V |
| Qg 10v | 40 nC |
| Td(выкл) | 100.1 ns |
| Корпус | PDFN5*6 |
| Qg 4 5v | 19.4 nC |
| Температура перехода и хранения | -55 to +150 °C |
| Ток I DSS, 25 °C | -1 µA |
| Ток утечки стока при 55 °C | -5 µA |
| Тип монтажа | SMD |
| Id ta 25c | -5A |
| Id tc 25c | -25A |
| Рассеиваемая мощность при 25 °C | 2.5W |
| Pd tc 25c | 88W |
| Id ta 100c | -3A |
| Id tc 100c | -16A |
| Idm импульсный | -100A |
| Pd ta 100c | 1W |
| Pd tc 100c | 35.2W |
| Vgs порог макс. | -2.5V |
| Vgs порог мин. | -1.0V |
| Vgs(th) тип. | -1.8V |
| Описание | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| Горючесть | UL 94 V-0 |
| Артикул | YJG25GP10A |
| Без галогенов | Да |
| Dimensions a1 | 0.254 BSC |
| Размер A2 | 0.10 mm |
| Dimensions e3 | 0.254 REF |
| Dimensions e4 | 0.21 REF |
| Габариты L2 | 0.50 BSC |
| Макс. Rds(on) при 10 В | 56 mohm |
| Тип. Rds(on) при 10 В | 42 mohm |
| RDS(on) при VGS 10 В | <56 mohm |
| Rth ja 10s max | 20 °C/W |
| Rth ja 10s typ | 15 °C/W |
| Packing min pcs | 5000 |
| Макс. Rds(on) при 4,5 В | 62 mohm |
| Тип. Rds(on) при 4,5 В | 46 mohm |
| RDS(on) при VGS 4,5 В | <62 mohm |
| Размеры a макс. | 1.20 mm |
| Мин. размер A | 1.00 mm |
| Dimensions a nom | 1.10 mm |
| Размеры b макс. | 0.51 mm |
| Размер B мин. | 0.31 mm |
| Dimensions b nom | 0.41 mm |
| Макс. размер D | 5.55 mm |
| Мин. размер D | 5.15 mm |
| Dimensions d nom | 5.35 mm |
| Размер E макс | 6.35 mm |
| Размер E мин | 5.95 mm |
| Dimensions e nom | 6.15 mm |
| Dimensions d1 max | 4.32 mm |
| Dimensions d1 min | 3.92 mm |
| Dimensions d1 nom | 4.12 mm |
| Dimensions d2 max | 5.40 mm |
| Dimensions d2 min | 5.00 mm |
| Dimensions d2 nom | 5.20 mm |
| Размер E1 макс | 3.92 mm |
| Размер E1 мин | 3.52 mm |
| Dimensions e1 nom | 3.72 mm |
| Dimensions e2 max | 6.06 mm |
| Dimensions e2 min | 5.66 mm |
| Dimensions e2 nom | 5.86 mm |
| Размер l1 макс. | 0.76 mm |
| Размер l1 мин. | 0.56 mm |
| Dimensions l1 nom | 0.66 mm |
| Rth ja steady max | 50 °C/W |
| Rth ja steady typ | 40 °C/W |
| Rth jc steady max | 1.42 °C/W |
| Rth jc steady typ | 1.15 °C/W |
| Шаг выводов E | 1.27 BSC |
| Способ поставки упаковки | 13" reel |
| Packing inner box pcs | 10000 |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Packing outer carton pcs | 100000 |
| Описание (англ.) | P-Channel 100V 25A 28.8W Surface Mount PDFN5060-8L |
| Обратное напряжение, В | 100 |
| Ток, А | 25 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?