Документация
YJG110G10B, транзистор 100B 110A 113Вт PDFN5060-8L
У поставщика
ПроизводительYJ
У поставщиков
1 500 шт.
Норм. уп.: 93
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:1 500 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 93
Минимальная партия: 930 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 51,75 |
| от 93 | 42,44 |
| от 930 | 40,38 |
Описание
Транзистор YJG110G10B от YJ — мощный N-канальный MOSFET в компактном корпусе PDFN5060-8L. Выдерживает напряжение до 100 В, ток до 110 А и рассеивает до 113 Вт тепла. Подходит для импульсных источников питания, цепей защиты и силовой коммутации в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Корпус | PDFN5060 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 110 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 113 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?