Документация
Транзистор полевой YJD50GP06A
У поставщика
У поставщиков
663 шт.
Норм. уп.: 2500
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт69,79 ₽
Сумма697,90 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии663 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 10 штюрлицам и ИП
от 31 — 64,49 ₽ (−8%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 697,90 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 602,10 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
10 шт · Склад 13 · 697,90 ₽
Описание
Полевой транзистор YJD50GP06A от Yangjie — мощный MOSFET для коммутации цепей. Выдерживает напряжение до 60 В и ток до 50 А, выпускается в корпусе TO-247. Подходит для импульсных блоков питания, сварочных инверторов и силовой электроники.
Технические характеристики
| Eas | 169mJ |
| Тип | P-Channel Enhancement Mode FET |
| Макс. ток истока | -50A |
| Тип. заряд затвора | 79nC |
| Тип. сопротивление затвора, Rg | 8.5Ω |
| Tf тип. | 110ns |
| Макс. Tj | 150°C |
| Tr тип. | 88ns |
| Корпус | TO-252 |
| Qgd тип. | 18nC |
| Qgs тип. | 18nC |
| Qrr тип. | 96nC |
| Trr тип. | 52ns |
| Макс. Vds | -60V |
| Макс. Vgs | ±20V |
| Тип. Ciss | 4260pF |
| Coss тип. | 690pF |
| Тип. Crss | 145pF |
| Igss макс. | ±100nA |
| Тип монтажа | SMD |
| Макс. Tstg | 150°C |
| Мин. Tstg | -55°C |
| Напряжение насыщения VSD, макс. | -1.2V |
| Напряжение насыщения тип. | -0.9V |
| BVDSS мин. | -60V |
| Ток стока импульсный | -200A |
| Td(вкл) тип. | 17ns |
| Макс. тепловое сопротивление переход-среда | 60°C/W |
| Rth ja typ | 50°C/W |
| Макс. тепловое сопротивление переход-корпус | 1.4°C/W |
| Rth jc typ | 1.2°C/W |
| Td(выкл) тип. | 120ns |
| Технология | Split gate trench MOSFET |
| Vgs порог макс. | -3V |
| Vgs порог мин. | -1V |
| Артикул | YJD50GP06A |
| Pd case 25c | 89W |
| Применение | Power management, Portable equipment |
| Без галогенов | Да |
| Макс. IDSS при 25°C | -1μA |
| Pd case 100c | 35W |
| Ток утечки сток-исток, макс. при 150 °C | -100μA |
| Pd ambient 25c | 2W |
| RDS(on) при VGS 10 В | <12mΩ |
| Соотв. RoHS | Да |
| Pd ambient 100c | 0.8W |
| RDS(on) при VGS 4,5 В | <15mΩ |
| Id continuous case 25c | -50A |
| Id continuous case 100c | -31A |
| Id continuous ambient 25c | -8A |
| Rds on typ vgs 10v id 25a | 9mΩ |
| Id continuous ambient 100c | -5A |
| Уровень чувствительности к влаге | 1 |
| Rds on typ vgs 4 5v id 20a | 11mΩ |
| Напряжение, В | 60 |
| Ток, А | 50 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?