Документация
Транзистор полевой YJD50GP06A
У поставщика
У поставщиков
972 шт.
Норм. уп.: 2500
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:972 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2500
Минимальная партия: 10 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 70,55 |
| от 31 | 65,19 |
| от 61 | 60,82 |
| от 121 | 57,55 |
| от 241 | 55,10 |
Описание
Полевой транзистор YJD50GP06A от Yangjie — мощный MOSFET для коммутации цепей. Выдерживает напряжение до 60 В и ток до 50 А, выпускается в корпусе TO-247. Подходит для импульсных блоков питания, сварочных инверторов и силовой электроники.
Технические характеристики
| Eas | 169mJ |
| Тип | полевые (FETs, MOSFETs) |
| Тип | P-Channel Enhancement Mode FET |
| Is max | -50A |
| Тип. заряд затвора | 79nC |
| Rg typ | 8.5Ω |
| Tf тип. | 110ns |
| Макс. Tj | 150°C |
| Tr тип. | 88ns |
| Корпус | TO-252-B |
| Qgd тип. | 18nC |
| Qgs тип. | 18nC |
| Qrr тип. | 96nC |
| Trr тип. | 52ns |
| Макс. Vds | -60V |
| Макс. Vgs | ±20V |
| Тип. Ciss | 4260pF |
| Coss тип. | 690pF |
| Тип. Crss | 145pF |
| Igss макс. | ±100nA |
| Тип монтажа | SMD |
| Макс. Tstg | 150°C |
| Мин. Tstg | -55°C |
| V sd max | -1.2V |
| V sd typ | -0.9V |
| Bvdss min | -60V |
| Ток стока импульсный | -200A |
| Td(вкл) тип. | 17ns |
| Макс. тепловое сопротивление переход-среда | 60°C/W |
| Rth ja typ | 50°C/W |
| Rth jc max | 1.4°C/W |
| Rth jc typ | 1.2°C/W |
| Td(выкл) тип. | 120ns |
| Технология | Split gate trench MOSFET |
| Vgs порог макс. | -3V |
| Vgs порог мин. | -1V |
| Артикул | YJD50GP06A |
| Pd case 25c | 89W |
| Применение | Power management, Portable equipment |
| Без галогенов | Да |
| Макс. IDSS при 25°C | -1μA |
| Pd case 100c | 35W |
| Idss max 150c | -100μA |
| Pd ambient 25c | 2W |
| Rds on vgs 10v | <12mΩ |
| Соотв. RoHS | Да |
| Pd ambient 100c | 0.8W |
| Rds on vgs 4 5v | <15mΩ |
| Id continuous case 25c | -50A |
| Id continuous case 100c | -31A |
| Id continuous ambient 25c | -8A |
| Rds on typ vgs 10v id 25a | 9mΩ |
| Id continuous ambient 100c | -5A |
| Уровень чувствительности к влаге | 1 |
| Rds on typ vgs 4 5v id 20a | 11mΩ |
Заметили ошибку в описании или параметрах?