Документация
Транзистор полевой YJD25GP06A
У поставщика
У поставщиков
2 936 шт.
Норм. уп.: 2500
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт17,12 ₽
Сумма856,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии2 936 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 50 штюрлицам и ИП
от 66 — 16,40 ₽ (−4%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 856,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 444,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
50 шт · Склад 13 · 856,00 ₽
Описание
Полевой транзистор YJD25GP06A от Yangjie — мощный MOSFET для цепей с напряжением до 60 В. Выдерживает ток до 25 А и отличается низким сопротивлением открытого канала. Подходит для импульсных блоков питания, преобразователей напряжения и управления нагрузкой в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Ток изоляции | -25A |
| Rg | 12ohm |
| Tf | 55.1ns |
| Tr | 39.5ns |
| Eas | 49mJ |
| Заряд затвор-сток | 3.0nC |
| Заряд затвор-исток | 4.7nC |
| Заряд обратного восстановления | 8.2nC |
| Тип | полевые (FETs, MOSFETs) |
| TRR | 20.2ns |
| Напряжение сток-исток | -60V |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Ciss | 1100pF |
| Coss | 350pF |
| Crss | 28pF |
| IGSS | ±100nA |
| Td(вкл) | 7.5ns |
| Td(выкл) | 43.6ns |
| Id tc25 | -25A |
| Маркировка | YJD25GP06A |
| Корпус | TO-252 |
| Упаковка | 13" reel |
| Рассеиваемая мощность при 25 °C | 72W |
| Температура перехода и хранения | -55 to +150°C |
| Vsd макс. | -1.3V |
| VSD тип. | -0.95V |
| Id tc100 | -16A |
| Тип монтажа | SMD |
| Pd tc100 | 28.8W |
| Qg vgs10 | 18.7nC |
| Qg vgs45 | 8.8nC |
| Idss tc25 | -1uA |
| Idss tc55 | -5uA |
| Размеры | B max: 0.860mm; B min: 0.660mm; B nom: 0.760mm; C max: 0.580mm; C min: 0.460mm; C nom: 0.520mm; D max: 6.700mm; D min: 6.500mm; D nom: 6.600mm; E2 bs: 2.286mm; E max: 10.300mm; E min: 9.900mm; E nom: 10.100mm; L max: 1.750mm; Мин. L: 1.250mm; L nom: 1.500mm; A1 max: 0.200mm; A1 min: 0.000mm; A2 max: 2.400mm; A2 min: 2.200mm; A2 nom: 2.300mm; A3 max: 1.100mm; A3 min: 0.900mm; A3 nom: 1.000mm; D1 max: 5.450mm; D1 min: 5.150mm; D1 nom: 5.300mm; D2 max: 4.950mm; D2 min: 4.600mm; D2 nom: 4.800mm; E1 max: 6.200mm; E1 min: 6.000mm; E1 nom: 6.100mm; E2 max: 5.450mm; E2 min: 5.150mm; E2 nom: 5.300mm; L1 max: 1.270mm; L1 min: 0.900mm; L1 nom: 1.270mm; L2 max: 1.900mm; L2 min: 1.400mm; L2 nom: 1.900mm; L3 max: 1.000mm; L3 min: 0.600mm; L3 nom: 0.800mm; L4 max: 2.900mm; L4 min: 0.000mm; L4 nom: 2.900mm; Theta max: 10°; Theta min: 0°; Theta nom: 0° |
| Idm импульсный | -100A |
| Технология | Split gate trench MOSFET |
| Vgs порог макс. | -2.5V |
| Vgs порог мин. | -1.3V |
| Vgs(th) тип. | -1.8V |
| Описание | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| Артикул | YJD25GP06A |
| Prefered pn | YJD25GP06A |
| Применение | Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters, Industrial and Motor Drive applications |
| Без галогенов | Да |
| Производитель | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. |
| Код упаковки | F1 |
| Rds on vgs10 | <50mohm |
| Rds on vgs45 | <65mohm |
| Способ поставки | 2500pcs |
| Соотв. RoHS | Да |
| Rth ja 10s max | 20°C/W |
| Rth ja 10s typ | 15°C/W |
| Rds(on) при Vgs 10 В, тип. | 38mohm |
| Rds on vgs45 typ | 48mohm |
| Rth ja steady max | 50°C/W |
| Rth ja steady typ | 40°C/W |
| Rth jc steady max | 1.7°C/W |
| Rth jc steady typ | 1.35°C/W |
| Класс горючести | UL 94 V-0 |
| Количество во внутренней коробке | 2500pcs |
| Кол-во в коробке | 25000pcs |
| Уровень чувствительности к влаге | 1 |
| Напряжение, В | 600 |
| Ток, А | 25 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?