Документация
YJD212080NCTG1, N-канальный усиленный силовой MOSFET транзистор из карбида кремния, 1200B, 38A, 220В
У поставщика
ПроизводительYJ
У поставщиков
220 шт.
Норм. уп.: 4
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:220 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 4
Минимальная партия: 40 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 1 138,50 |
| от 4 | 1 042,54 |
Описание
YJ N-канальный силовой MOSFET транзистор из карбида кремния. Рабочее напряжение 1200 В, ток 38 А, импульсный ток до 80 А. Выполнен в корпусе TO-247AB для монтажа в отверстия. Применяется в промышленной автоматике, источниках питания и силовых преобразователях.
Технические характеристики
| Тип | Silicon Carbide Power MOSFET (N-Channel Enhancement) |
| Корпус | TO-247AB |
| Время спада | 35.3ns |
| Время нарастания | 13.9ns |
| Без галогенов | Да |
| Диаметр вывода | 3.40-3.80mm |
| Тип монтажа | THT |
| Соотв. RoHS | Да |
| Ном. напряжение | 1200V |
| Момент затяжки | 0.6Nm |
| Gate charge total | 41nC |
| Заряд сток-затвор | 11nC |
| Вх. емкость | 890pF |
| Заряд затвор-исток | 12nC |
| Выходная емкость | 58pF |
| Время задержки включения | 27.9ns |
| Структура | N-канал |
| Reverse capacitance | 4pF |
| Время задержки выключения | 29ns |
| Current rating pulsed | 80A |
| Ширина корпуса | 15.50-16.10mm |
| On resistance max 25c | 85mΩ |
| On resistance typ 25c | 77mΩ |
| Мощн. рас. 25°C | 220W |
| Время обратного восстановления | 28.24ns |
| Температура пайки | 260°C for 10s |
| Высота корпуса | 4.80-5.20mm |
| Длина корпуса | 20.70-21.30mm |
| On resistance typ 175c | 122mΩ |
| Power dissipation 110c | 94W |
| Заряд обратного восстановления | 190nC |
| Internal gate resistance | 1.5Ω |
| Transconductance typ 25c | 10S |
| Turn on switching energy | 235µJ |
| Диап. темп. хр. | -55 to +175°C |
| Transconductance typ 175c | 9.2S |
| Turn off switching energy | 419µJ |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 3.6V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 2.3V |
| Тип. пороговое Uзи | 2.9V |
| Current rating continuous 25c | 38A |
| Diode forward voltage typ 25c | 3.9V |
| Peak reverse recovery current | 30.08A |
| Current rating continuous 100c | 28A |
| Diode forward voltage typ 175c | 3.2V |
| Output capacitor stored energy | 34µJ |
| Gate source voltage recommended | -4/+18V |
| Gate source voltage max absolute | -8/+22V |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 0.68°C/W |
| Диапазон темп. перехода | -55 to +175°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 38 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?