Документация
YJD20N06A, одиночный N-канальный MOSFET транзистор, 60В, 20А, 28Вт [TO-252] = IRLR024N
У поставщика
ПроизводительYJ
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
5 493 шт.
Норм. уп.: 100
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:4 093 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2500
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 14,58 |
| от 249 | 12,67 |
| от 423 | 11,59 |
| от 705 | 10,73 |
| от 1 169 | 10,14 |
Склад 12
В наличии:1 400 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 100
Минимальная партия: 1000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 13,46 |
| от 100 | 11,18 |
| от 1 000 | 10,58 |
Описание
YJD20N06A — одиночный N-канальный MOSFET транзистор от YJ. Компонент рассчитан на напряжение до 60 В, ток до 20 А и мощность рассеивания 34 Вт, выпускается в корпусе TO-252 для поверхностного монтажа. Благодаря технологии Trench Power MV обеспечивает низкое сопротивление и быстрые переключения. Подходит для импульсных источников питания, цепей управления нагрузкой и промышленной автоматики.
Технические характеристики
| Маркировка | YJD20N06A |
| Корпус | TO-252 (DPAK) |
| Тип монтажа | SMD |
| Время спада | 7ns |
| Упаковка | 13" reel, 2500 pcs per reel |
| Время нарастания | 39ns |
| Технология | Trench Power MV MOSFET |
| Тип устройства | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| Корпус | TO-252 |
| Соотв. RoHS | Да |
| Заряд сток-затвор | 2.5nC |
| Заряд затвор-исток | 2.4nC |
| Время задержки включения | 5ns |
| Структура | N-канал |
| Время задержки выключения | 19ns |
| Drain current pulsed | 60A |
| Время обратного восстановления | 45ns |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Макс. напряжение сток-исток | 60V |
| Power dissipation tc 25c | 34W |
| Power dissipation tc 100c | 17W |
| Диап. темп. хр. | -55°C to +175°C |
| Диапазон темп. перехода | -55°C to +175°C |
| Diode forward voltage is 10a | Max: 1.2V; Min: 0.8V |
| Body diode continuous current | 20A |
| Энергия одиноч. импульса | 20mJ |
| Drain current continuous tc 25c | 20A |
| Gate threshold voltage id 250ua | Max: 2.5V; Min: 1.0V; Typ: 1.5V |
| Drain current continuous tc 100c | 14A |
| Input capacitance vds 30v f 1mhz | 800pF |
| Gate body leakage current vgs 20v | ±100nA |
| Output capacitance vds 30v f 1mhz | 68pF |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 4.4°C/W |
| Zero gate voltage drain current vds 60v | 25c: 1μA; 55c: 5μA |
| Total gate charge vgs 10v vds 30v id 10a | 15nC |
| Reverse recovery charge if 20a didt 500a us | 23nC |
| Reverse transfer capacitance vds 30v f 1mhz | 36pF |
| Static drain source on resistance vgs 10v id 20a | Max: 43mΩ; Typ: 34mΩ |
| Static drain source on resistance vgs 4 5v id 10a | Max: 47mΩ; Typ: 36mΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 20 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 28 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?