Документация
YJD112020NCTQG2, диод Шоттки из карбида кремния, 1200B, 85A, 266/500Вт (TO-247AB) = WSRSIC040120NP8
У поставщика
ПроизводительYJ
У поставщиков
67 шт.
Норм. уп.: 10
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:67 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 10
Минимальная партия: 100 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 548,55 |
| от 10 | 488,52 |
| от 100 | 450,00 |
Описание
Диод Шоттки из карбида кремния от YJ на напряжение 1200 В и ток 85 А. Корпус TO-247AB, рабочая температура до 175°C, нулевой обратный ток восстановления и минимальные потери переключения. Применяется в корректорах коэффициента мощности, солнечных инверторах и зарядных станциях для электромобилей.
Технические характеристики
| Тип | Silicon Carbide Schottky Diode |
| Корпус | TO-247AB |
| Особенности | Positive temperature coefficient, Temperature-independent switching, Maximum working temperature 175°C, Unipolar devices and zero reverse recovery current, Zero forward recovery current, Essentially no switching losses, Reduction of heat sink requirements, High-frequency operation, Reduction of EMI |
| Тип монтажа | THT |
| Размеры | Макс. ширина корпуса: 16.10mm; Body width min: 15.50mm; Высота корпуса макс.: 5.20mm; Body height min: 4.80mm; Макс. длина корпуса: 21.30mm; Мин. длина корпуса: 20.70mm; Макс. диаметр вывода: 3.80mm; Мин. диаметр вывода: 3.40mm |
| Артикул | YJD112020NCTQG2 |
| Корпус | TO-247AB |
| Соотв. RoHS | Да |
| Capacitance at 0v | 700pF |
| I2t value per leg | 36 A^2s |
| Dc reverse voltage | 1200V |
| Capacitance at 400v | 49pF |
| Capacitance at 800v | 39pF |
| Типовые применения | Power factor correction, Solar inverter, Uninterruptible power supply, Motor drives, Photovoltaic inverter, Electric car and charger |
| Total capacitive charge | 53nC |
| Capacitance stored energy | 14µJ |
| Диап. темп. хр. | -55 to 175°C |
| Surge peak reverse voltage | 1200V |
| Forward voltage drop 25c max | 1.54V |
| Forward voltage drop 25c typ | 1.42V |
| Forward voltage drop 175c typ | 2.1V |
| Power dissipation per leg 25c | 266W |
| Power dissipation per leg 110c | 115W |
| Повторяющееся импульсное обратное напряжение | 1200V |
| Reverse leakage current 25c max | 13µA |
| Reverse leakage current 25c typ | 1.3µA |
| Power dissipation per device 25c | 500W |
| Reverse leakage current 175c typ | 6µA |
| Power dissipation per device 110c | 216W |
| Диапазон темп. перехода | -55 to 175°C |
| Continuous forward current per leg 25c | 40A |
| Continuous forward current per leg 135c | 20A |
| Continuous forward current per leg 163c | 10A |
| Continuous forward current per device 25c | 80A |
| Continuous forward current per device 135c | 40A |
| Continuous forward current per device 163c | 20A |
| Thermal resistance junction to case per leg | 0.56°C/W |
| Thermal resistance junction to case per device | 0.30°C/W |
| Non repetitive peak forward surge current per leg | 85A |
| Максимальное постоянное обратное напряжение,В | 1200 |
| Максимальный прямой (выпрямленный за полупериод) ток,А | 85 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?