Документация
YJD106520NCTQG2, диод Шоттки из карбида кремния, 650B, 80A, 112/230Вт (TO-247AB) = YJD106520NCTG1
У поставщика
ПроизводительYJ
У поставщиков
99 шт.
Норм. уп.: 10
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:99 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 10
Минимальная партия: 100 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 548,55 |
| от 10 | 468,86 |
| от 100 | 418,50 |
Описание
Диод Шоттки на карбиде кремния от YJ. Рабочее напряжение 650 В, ток 80 А, мощность до 230 Вт в корпусе TO-247AB. Отличается нулевым током обратного восстановления, работает при температуре до 175 °C и не создаёт помех. Подходит для высокочастотных источников питания и промышленной автоматики.
Технические характеристики
| Тип | Silicon Carbide Schottky Diode |
| Alias | YJD106520NCTG1 |
| Корпус | TO-247AB |
| Особенности | Positive temperature coefficient, Temperature-independent switching, Maximum working temperature at 175°C, Unipolar devices and zero reverse recovery current, Zero forward recovery current, Essentially no switching losses, Reduction of heat sink requirements, High-frequency operation, Reduction of EMI |
| Тип монтажа | THT |
| Полярность | As marked |
| Материалы | Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant, halogen-free |
| Клеммы | Tin plated leads |
| Напряжение DC | 650V |
| I2t per leg | 32 A^2s |
| Артикул | YJD106520NCTQG2 |
| Корпус | TO-247AB |
| Voltage surge peak | 650V |
| Capacitance 0v 1mhz typ | 543pF |
| Voltage repetitive peak | 650V |
| Capacitance 200v 1mhz typ | 55pF |
| Capacitance 400v 1mhz typ | 52pF |
| Диап. темп. хр. | -55°C to +175°C |
| Диапазон темп. перехода | -55°C to +175°C |
| Reverse leakage 25c 650v max | 25μA |
| Reverse leakage 25c 650v typ | 0.5μA |
| Power dissipation 25c per leg | 112W |
| Reverse leakage 175c 650v typ | 2μA |
| Current continuous 25c per leg | 27A |
| Power dissipation 110c per leg | 48W |
| Current continuous 135c per leg | 13A |
| Current continuous 150c per leg | 10A |
| Forward voltage drop 25c 10a max | 1.55V |
| Forward voltage drop 25c 10a typ | 1.35V |
| Power dissipation 25c per device | 230W |
| Total capacitive charge 400v typ | 30nC |
| Current continuous 25c per device | 54A |
| Forward voltage drop 175c 10a typ | 1.8V |
| Power dissipation 110c per device | 100W |
| Capacitance stored energy 400v typ | 3.7μJ |
| Current continuous 135c per device | 26A |
| Current continuous 150c per device | 20A |
| Surge current non repetitive per leg | 80A |
| Thermal resistance junction case per leg | 1.34°C/W |
| Thermal resistance junction case per device | 0.65°C/W |
| Максимальное постоянное обратное напряжение,В | 30 |
| Максимальный прямой (выпрямленный за полупериод) ток,А | 80 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?