+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
Y30KPC/800V-KT25AT
Документация

Тиристор таблеточного типа 850А(70 C) 800В

Артикул:856118
У поставщика
ПроизводительTechSem
У поставщиков
31 шт.
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:31 шт
Срок поставки: до недели
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 11 166,49
от 21 155,81
от 31 143,01
от 41 127,13
от 51 106,42
Описание

Тиристор таблеточного типа от TechSem. Рассчитан на ток 850 А при 70 °C и напряжение до 800 В. Компонент выполнен в прочном корпусе для мощных коммутаций. Применяется в промышленной автоматике и силовых преобразователях.

Технические характеристики
КорпусMetal case with ceramic insulator
ТипPhase Control Thyristor
Di dt100 A/μs
Dv dt1000 V/μs
Вес80g
OutlineKT25aT
КорпусKT25aT
Тип монтажаPress-fit
I2t fusing405000 A²s
АртикулY30KPC/800V-KT25AT
Clamping force5.3-10 kN (typical 7kN)
Gate peak power100W (100μs pulse)
Ток удержания20-200 mA
Recovery charge1030 μC
Высота14.6mm
Voltage threshold0.70V
Gate average power2W
Диаметр40mm
Gate trigger current35-250 mA
Gate trigger voltage0.8-2.5V (25°C)
Current on state mean1000A (Tc=55°C, 180° half sine), 690A (Tc=85°C, 180° half sine), 850A (Tc=70°C, interpolated)
Voltage on state peak1.24V (at 1550A)
Current on state surge9.0kA (10ms half sine)
Тип упаковкиBulk (россыпь)
Non trigger gate voltage0.3V (125°C)
Resistance on state slope0.35mΩ
Диап. темп. хр.-40 to 140°C
Описание (англ.)Thyristor of button type 850A (70 C) 800V
Voltage reverse repetitive peak800V
Voltage off state repetitive peak800V
Operating temperature junction max125°C
Thermal resistance case to heatsink0.010 °C/W
Тепл. сопр. переход-корпус0.045 °C/W (double side cooled)

Заметили ошибку в описании или параметрах?