+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
XNS1245MF
Документация

Силовой модуль IGBT управления двигателем трехфазный 33A 600В DIP33

Артикул:878331
У поставщика
ПроизводительXiner
КатегорияМикросхемы
У поставщиков
2 шт.
Норм. уп.: 10
шт
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 1 383,24 ₽. До заказа без доплаты не хватает 15 916,76 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
1 шт · Склад 13 · 1 383,24 ₽
Описание

Силовой модуль IGBT от Xiner для управления трехфазными двигателями. Рассчитан на напряжение 600 В и ток 20 А, имеет встроенную защиту от перегрева, перегрузки и пониженного напряжения. Выполнен в корпусе DIP33. Применяется в промышленной автоматике и частотных приводах.

Технические характеристики
КорпусDIP33
Особенности600V-20A 3-Phase IGBT Inverter Bridge Including Control ICs for Gate Driving and Protection, Low-Loss, Short-Circuit Rated IGBTs, Built-In Bootstrap Diodes with Current Limiting Resistor, Separate Open-Emitter Pins from Low-Side IGBTs for Three-Phase Current Sensing, Built-In Over Temperature Protection Function, Low Thermal Resistance Using Heatsink PAD, Isolation Rating: 2500 Vrms/min, Single-Grounded Power Supply, Lead-free Terminal Plating; RoHS Compliant
Тип монтажаВыводной
КомпонентXNS1245MF
Без свинцаДа
ТехнологияTrench FS-IGBT
ОписаниеAdvanced DIP33 IPM Based on Trench FS-IGBT Technology, 600V-20A 3-Phase IGBT Inverter Bridge
ПрименениеMotion Control – Home Appliance, Industrial Motor
Control partFault output current: 10mA; Напряжение входного сигнала: -0.3~25V; Control supply voltage: 25V; High side bias voltage: 25V; Fault output supply voltage: -0.3~25V; Current sensing input voltage: -0.3~25V
Total systemТемп. хранения: -40~125°C; Module case operation temperature: -40~125°C; Self protection supply voltage limit: 400V
Inverter partFwd forward voltage: 1.8V typ, 2.0V max; Dc link input voltage: 450V; Switching parameters hs: Энергия включения: 1000uJ typ; Время включения: 700ns typ, 900ns max; TRR: 50ns typ, 100ns max; Энергия выключения: 1000uJ typ; Toff: 1500ns typ, 1800ns max; Tc on: 250ns typ, 350ns max; Tc off: 250ns typ, 350ns max; Switching parameters ls: Энергия включения: 1000uJ typ; Время включения: 750ns typ, 950ns max; TRR: 50ns typ, 100ns max; Энергия выключения: 1000uJ typ; Toff: 1500ns typ, 1800ns max; Tc on: 250ns typ, 350ns max; Tc off: 250ns typ, 350ns max; Напряжение коллектор-эмиттер: 600V; Dc link input voltage surge: 500V; Each igbt collector current: 20A; Рабочая температура перехода: -40~150°C; Each igbt collector peak current: 40A; Maximum power dissipation per chip: 50W; Ток утечки коллектор-эмиттер при 25 °C: 0.1mA max; Ток утечки 150 °C: 1mA max; Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, 25 °C: 1.7V typ, 1.9V max; Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при 150 °C: 2.0V typ, 2.2V max
Соотв. RoHSДа
Напр. изоляции2500Vrms
Тепловое сопротивлениеJunction to case frd: 3.5°C/W; Junction to case igbt: 2.5°C/W
Bootstrap diode partПрямой ток: 1A; Пиковый прямой ток: 2A; Рабочая температура перехода: -40~150°C; Макс. повторяющееся обратное напряжение: 600V
Тип упаковкиTube (туба)
Isolation test condition60Hz, sinusoidal, 1 minute, pins to heatsink
Описание (англ.)3-ph IPM / inverter pwr module, IGBT + FRD, Vces 600 V, Ic 20 A, iso 2.5 kVrms, UVLO / OCP / OTP / fault out

Заметили ошибку в описании или параметрах?