+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
XNS04H54D6
Документация

Силовой модуль IGBT управления двигателем трехфазный 4A 600В PQFN8*9

Артикул:878329
У поставщика
ПроизводительXiner
КатегорияМикросхемы
У поставщиков
5 шт.
Норм. уп.: 20
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:5 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 20
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 1515,29
от 4509,23
от 7501,70
от 13491,73
от 40477,79
Описание

Силовой модуль IGBT от Xiner для управления трехфазными двигателями. Рассчитан на ток до 4 А и напряжение 600 В, выпускается в компактном корпусе PQFN 8x9 мм. Применяется в приводах электродвигателей, промышленной автоматике и частотных преобразователях.

Технические характеристики
КорпусPQFN
Тип монтажаSMD
Размеры8x9mm
Описание4A/600V half-bridge IPM for advanced appliance motor drive applications
Input logic3.3V
АртикулXNS04H54D6
Bootstrap vrrm600V
Idp peak current12A
Input logic typeActive high HIN and LIN
Ток стока непрерывный 25C4A
Id continuous 80c2.5A
Напр. изоляции1500VRMS
Vcc supply voltage25V
T on switching time0.75us
T rr switching time100ns
T off switching time0.95us
Dt built in dead time300ns
E on switching energy500uJ
E off switching energy150uJ
Тип упаковкиBulk (россыпь)
Pd max power dissipation50W
Tstg storage temperature-40~150°C
Vin input signal voltage-0.3~VCC+0.3V
Vpn dc link input voltage600V
Iqbs quiescent vbs current70uA
Iqcc quiescent vcc current0.76mA
T fil in input filter time300ns
Vbs high side bias voltage25V
Iin plus input bias current20uA
Bootstrap if forward current0.5A
Iin minus input bias current1uA
Rth jct junction to case top25°C/W
Ts lead soldering temperature260°C
Rth jcb junction to case bottom2.0°C/W
Tj operating junction temperature-50~150°C
Bootstrap ifp peak forward current1.5A
Uvccr low side under voltage reset8.6V
Uvbsr high side under voltage reset7.8V
Vih on threshold voltage logic high2.8V
Vil off threshold voltage logic low0.6V
Bvdss drain source breakdown voltage600V
Idss zero gate voltage drain current10uA
Uvccd low side under voltage detection8.1V
Vsd drain source diode forward voltage1.3V
Rbs oa reverse bias safe operating areaFull Square
Uvbsd high side under voltage detection7.2V
Vce sat collector emitter saturation voltage2.1V

Заметили ошибку в описании или параметрах?