Документация
IGBT Модуль 1200В, 450А, полумостовой
У поставщика
ПроизводительXiner
У поставщиков
2 466 шт.
Норм. уп.: 6
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт9 389,35 ₽
Сумма9 389,35 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии2 466 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийюрлицам и ИП
от 2 — 9 065,90 ₽ (−3%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 9 389,35 ₽. До заказа без доплаты не хватает 7 910,65 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
1 шт · Склад 13 · 9 389,35 ₽
Описание
IGBT модуль Xiner XNG450B24KC5A5 — полумостовой транзистор на 1200В и 450А. Компонент рассчитан на высокие коммутационные нагрузки и поставляется в упаковке Paper Box. Применяется в мощных преобразователях частоты, промышленных приводах и силовых источниках питания.
Технические характеристики
| If | 450A |
| Isc | 2400A |
| Заряд затвора | 1.62uC |
| Ifrm | 900A |
| VRRM | 1200V |
| Входная ёмкость | 30.5nF |
| Выходная ёмкость | 2.75nF |
| Проходная ёмкость | 1.0nF |
| Ic rm | 900A |
| Ls ce | 25nH |
| Rthch | 0.009K/W |
| Vc es | 1200V |
| Напряжение изоляции | 2.5kV |
| Ic nom | 450A |
| Qr 25c | 21uC |
| Rcc ee | 1.5mohm |
| Время спада, 25 °C | 82ns |
| Время нарастания, 25 °C | 59ns |
| Прямое напряжение при 25 °C | 2.32V |
| Вес | 350g |
| Irm 25c | 243A |
| Ntc p25 | 20mW |
| Ntc r25 | 5.0kohm |
| P total | 2150W |
| Корпус | модуль |
| Qr 150c | 53uC |
| Tf 150c | 218ns |
| Tr 150c | 66ns |
| Прямое напряжение при 150 °C | 2.40V |
| Энергия включения при 25 °C | 21mJ |
| Erec 25c | 11mJ |
| Макс. ток Ices | 5.0mA |
| Iges макс. | 500nA |
| Irm 150c | 318A |
| Тип монтажа | Выводной |
| Ntc r100 | 493ohm |
| Макс. Tstg | +150C |
| Мин. Tstg | -40C |
| Энергия выключения при 25 °C | 43mJ |
| E on 150c | 36mJ |
| Erec 150c | 24mJ |
| Задержка включения, 25 °C | 180ns |
| E off 150c | 51mJ |
| Ntc b25 50 | 3375K |
| Тепловое сопротивление кристалл-корпус IGBT | 0.07K/W |
| Задержка выключения, 25 °C | 435ns |
| Td on 150c | 187ns |
| Tvj op max | 150C |
| Tvj op min | -40C |
| Vg es peak | +/- 20V |
| Макс. пороговое напряжение затвор-эмиттер | 6.2V |
| Мин. пороговое напряжение затвор-эмиттер | 5V |
| Тип. пороговое напряжение затвор-эмиттер | 5.6V |
| Описание | 1200V, 450A IGBT Module |
| Артикул | XNG450B24KC5A5 |
| Внутреннее сопротивление затвора | 2.30ohm |
| Тепловое сопротивление кристалл-корпус диода | 0.05K/W |
| Td off 150c | 504ns |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при 25 °C | 1.75V |
| Производитель | Xiner |
| Напряжение насыщения Vce при 150 °C | 2.05V |
| Конфигурация | IGBT-Inverter, Diode-Inverter, NTC-Thermistor |
| Материал основания | Cu |
| Internal isolation | Al2O3 |
| Ntc r100 tolerance | +/- 5% |
| Terminal torque main | 3.0-6.0Nm |
| Mounting torque module | 3.0-6.0Nm |
| Тип упаковки | Paper Box |
Заметили ошибку в описании или параметрах?