Документация
Полумостовой модуль IGBT 1200В 450A 62мм
У поставщика
ПроизводительXiner
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
2 шт.
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:2 шт
Срок поставки: до недели
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 12 077,51 |
| от 2 | 11 671,91 |
| от 3 | 11 349,97 |
| от 4 | 11 066,77 |
| от 5 | 10 875,29 |
Описание
Полумостовой IGBT-модуль Xiner рассчитан на напряжение 1200 В и ток 450 А. Компонент выполнен в стандартном корпусе 62 мм для надежного монтажа. Подходит для применения в промышленной автоматике и мощных преобразователях частоты.
Технические характеристики
| Diode | I²t: 34000A2s; Прямое напряжение: 2.35V @ 25°C, 2.48V @ 150°C; Recovery charge: 21uC @ 25°C, 55uC @ 150°C; Reverse recovery energy: 11mJ @ 25°C, 27mJ @ 150°C; Continuous dc forward current: 450A; Peak reverse recovery current: 216A @ 25°C, 309A @ 150°C; Повторяющийся пиковый прямой ток: 900A; Повторяющееся импульсное обратное напряжение: 1200V; Тепловое сопр. переход-корпус: 0.145K/W |
| Мощность, Вт | 2400 |
| Module | Вес: 350g; Момент затяжки: 3.0-6.0Nm; Terminal torque: 2.5-5.0Nm; Stray inductance: 25nH; Напр. изоляции: 4.0kV; Base plate material: Cu; Internal insulation: Al2O3; Темп. хранения: -40°C to +150°C; Module lead resistance: 1.5mΩ; Thermal resistance case heatsink: 0.009K/W |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.79V @ 25°C, 2.07V @ 150°C |
| Ток, А | 450 |
| Корпус | C2 |
| Напряжение, В | 1200 |
| Тип монтажа | Выводной |
| Описание | Полумостовой модуль IGBT 1200В 450A 62мм |
| Артикул | XNG450B24KC2S |
| Switching times | Tf 25: 88ns; Tr 25: 94ns; Tf 150: 129ns; Tr 150: 100ns; Td on 25: 279ns; Td off 25: 728ns; Td on 150: 286ns; Td off 150: 765ns |
| Switching losses | Eon 25: 43mJ; Eoff 25: 57mJ; Eon 150: 53mJ; Eoff 150: 63mJ |
| Вх. емкость | 32nF |
| Темп. диапазон | -40°C to 150°C |
| Полный заряд затвора | 2.36uC |
| Выходная емкость | 2.36nF |
| Gate emitter voltage | ±20V |
| Ток КЗ | 2500A |
| Gate threshold voltage | 5.5V |
| Internal gate resistor | 2.36Ω |
| Тип упаковки | Штучный товар |
| Gate emitter leakage current | 400nA |
| Обратная проходная емкость | 1.0nF |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 0.062K/W |
| Collector emitter leakage current | 5mA |
Заметили ошибку в описании или параметрах?