Документация
Полумостовой модуль IGBT 1200В 450A 62мм
У поставщика
ПроизводительXiner
У поставщиков
2 шт.
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт12 077,51 ₽
Сумма12 077,51 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии2 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийюрлицам и ИП
от 2 — 11 671,91 ₽ (−3%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 12 077,51 ₽. До заказа без доплаты не хватает 5 222,49 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
1 шт · Склад 13 · 12 077,51 ₽
Описание
Полумостовой IGBT-модуль Xiner рассчитан на напряжение 1200 В и ток 450 А. Компонент выполнен в стандартном корпусе 62 мм для надежного монтажа. Подходит для применения в промышленной автоматике и мощных преобразователях частоты.
Технические характеристики
| Диод | I²t: 34000A2s; Прямое напряжение: 2.35V @ 25°C, 2.48V @ 150°C; Recovery charge: 21uC @ 25°C, 55uC @ 150°C; Reverse recovery energy: 11mJ @ 25°C, 27mJ @ 150°C; Continuous dc forward current: 450A; Пиковый обратный ток восстановления: 216A @ 25°C, 309A @ 150°C; Повторяющийся пиковый прямой ток: 900A; Повторяющееся импульсное обратное напряжение: 1200V; Тепловое сопр. переход-корпус: 0.145K/W |
| Мощность, Вт | 2400 |
| Module | Вес: 350g; Момент затяжки: 3.0-6.0Nm; Момент затяжки выводов: 2.5-5.0Nm; Stray inductance: 25nH; Напр. изоляции: 4.0kV; Base plate material: Cu; Internal insulation: Al2O3; Темп. хранения: -40°C to +150°C; Module lead resistance: 1.5mΩ; Тепловое сопротивление корпус-радиатор: 0.009K/W |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.79V @ 25°C, 2.07V @ 150°C |
| Ток, А | 450 |
| Корпус | C2 |
| Напряжение, В | 1200 |
| Тип монтажа | Выводной |
| Описание | Полумостовой модуль IGBT 1200В 450A 62мм |
| Артикул | XNG450B24KC2S |
| Время переключения | Tf 25: 88ns; Tr 25: 94ns; Tf 150: 129ns; Tr 150: 100ns; Td on 25: 279ns; Td off 25: 728ns; Td on 150: 286ns; Td off 150: 765ns |
| Switching losses | Eon 25: 43mJ; Eoff 25: 57mJ; Eon 150: 53mJ; Eoff 150: 63mJ |
| Вх. емкость | 32nF |
| Темп. диапазон | -40°C to 150°C |
| Полный заряд затвора | 2.36uC |
| Выходная емкость | 2.36nF |
| Напряжение затвор-эмиттер | ±20V |
| Ток КЗ | 2500A |
| Пороговое напряжение затвора | 5.5V |
| Internal gate resistor | 2.36Ω |
| Тип упаковки | Штучный товар |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 400nA |
| Обратная проходная емкость | 1.0nF |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 0.062K/W |
| Ток утечки коллектор-эмиттер | 5mA |
Заметили ошибку в описании или параметрах?