Документация
Транзистор полевой WNM6002-3/TR
У поставщика
У поставщиков
3 175 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:3 175 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 3,24 |
| от 1 125 | 2,64 |
| от 1 850 | 2,31 |
| от 3 100 | 2,05 |
| от 5 175 | 1,87 |
Описание
Полевой транзистор (MOSFET) WNM6002-3/TR от WILLSEMI предназначен для коммутации и управления нагрузкой в компактных электронных устройствах. Отличается низким сопротивлением открытого канала и малым пороговым напряжением, что обеспечивает высокую эффективность. Применяется в портативной технике, DC/DC-преобразователях и цепях защиты от перегрузок.
Технические характеристики
| Тип | N-Channel Power MOSFET |
| Маркировка | 62* |
| Особенности | Pb-free, Halogen-free |
| Тип монтажа | SMD |
| Размеры | Высота: 0.80-1.00mm; Ширина корпуса: 2.00-2.20mm; Шаг выводов: 1.20-1.40mm; Длина корпуса: 1.80-2.20mm |
| ESD рейтинг | 2000V HBM |
| Технология | Trench |
| Артикул | WNM6002-3/TR |
| Тип упаковки | SOT-323 |
| Transconductance | 0.42S |
| Capacitance input | 23.37pF |
| Gate charge drain | 0.12nC |
| Gate charge total | 1.2nC |
| Threshold voltage | 0.8V min, 1.3V typ, 2V max |
| Capacitance output | 7.33pF |
| Gate charge source | 0.21nC |
| Switching fall time | 10ns |
| Switching rise time | 5.1ns |
| Температура хранения | -55 to 150°C |
| Voltage gate source | ±20V |
| Current drain pulsed | 1.0A |
| Voltage drain source | 60V |
| Gate charge threshold | 0.15nC |
| Макс. рассеиваемая мощность | 0.37W (TA=25°C, 10s, 1 sq in pad) |
| Switching turn on delay | 7.6ns |
| Current drain continuous | 0.30A (TA=25°C, 10s, 1 sq in pad) |
| Switching turn off delay | 24.6ns |
| Body diode forward voltage | 0.9V typ, 1.5V max |
| Resistance drain source on | 1.4Ω (Vgs=10V, Id=0.37A), 1.7Ω (Vgs=4.5V, Id=0.2A) |
| Capacitance reverse transfer | 5.2pF |
| Resistance drain source on max | 2.0Ω (Vgs=10V), 2.6Ω (Vgs=4.5V) |
| Temperature operating junction | -55 to 150°C |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 260°C/W typ (steady state) |
| Термосопротивление переход-среда | 325°C/W typ (steady state, 1 sq in pad) |
Заметили ошибку в описании или параметрах?