Документация
Транзистор полевой WMQ30N03T2
У поставщика
У поставщиков
4 986 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:4 000 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 500 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 16,56 |
| от 50 | 15,30 |
Склад 39
В наличии:986 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 21,62 |
| от 170 | 19,13 |
| от 282 | 17,71 |
| от 473 | 16,59 |
| от 787 | 15,80 |
Описание
Полевой транзистор WMQ30N03T2 от WAYON — это MOSFET с каналом N-типа. Работает при напряжении до 30 В и выдерживает ток до 30 А. Компонент выпускается в компактном корпусе для поверхностного монтажа. Подходит для цепей питания в бытовой электронике и портативных устройствах.
Технические характеристики
| Тип | полевые (FETs, MOSFETs) |
| Тип | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
| Маркировка | Q30N03 |
| Корпус | PDFN3030-8L |
| Упаковка | Tape and Reel |
| Тип монтажа | SMD |
| Время спада | 6ns |
| Время нарастания | 40ns |
| Технология | Advanced High Cell Density Trench Technology |
| Green device | Да |
| Eas guaranteed | Да |
| Gate resistance | 1.7Ω |
| Лавинный ток | 24A |
| Gate charge total | 8nC |
| Заряд сток-затвор | 3.2nC |
| Вх. емкость | 814pF |
| Заряд затвор-исток | 2.4nC |
| Выходная емкость | 398pF |
| Размеры упаковки | L1: 0.13mm; A max: 0.85mm; A min: 0.70mm; B max: 0.40mm; B min: 0.20mm; D max: 3.25mm; D min: 2.90mm; E max: 3.20mm; E min: 2.90mm; H max: 0.65mm; H min: 0.20mm; L max: 0.50mm; L min: 0.30mm; A1 max: 0.25mm; A1 min: 0.10mm; D1 max: 2.65mm; D1 min: 2.25mm; E1 max: 3.45mm; E1 min: 3.10mm; E2 max: 1.98mm; E2 min: 1.54mm; L2 max: 0.15mm; L2 min: 0.00mm; Theta max: 14°; Theta min: 0°; E pitch max: 0.70mm; E pitch min: 0.60mm |
| Время задержки включения | 7.1ns |
| Время задержки выключения | 15ns |
| Threshold voltage max | 2.5V |
| Threshold voltage min | 1.2V |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Макс. темп. хр. | 150°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Макс. напряжение сток-исток | 30V |
| Прямая крутизна | 43S |
| Pulsed drain current max | 100A |
| Continuous source current | 24A |
| Body diode forward voltage | 1.0V |
| Total power dissipation 25c | 24W |
| Длительный ток стока 25°C | 30A |
| Обратная проходная емкость | 62pF |
| Непрерывный ток стока 100°C | 24A |
| Энергия одиноч. импульса | 28.8mJ |
| Drain source on resistance 10v | 6.3mΩ |
| Drain source on resistance 4 5v | 9.5mΩ |
| Body diode reverse recovery time | 34ns |
| Body diode reverse recovery charge | 15nC |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Мин. темп. перехода | -55°C |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 5.2°C/W |
| Термосопротивление переход-среда | 60°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?