Документация
Транзистор полевой WMO18N50C4
У поставщика
У поставщиков
7 594 шт.
Норм. уп.: 100
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:6 622 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2500
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 47,61 |
| от 78 | 43,48 |
| от 129 | 41,15 |
| от 215 | 39,30 |
| от 359 | 37,92 |
Склад 12
В наличии:970 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 100
Минимальная партия: 1000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 66,24 |
| от 100 | 60,03 |
Склад 13
В наличии:2 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2500
Минимальная партия: 4 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 61,47 |
| от 34 | 56,67 |
| от 68 | 52,76 |
| от 136 | 49,83 |
| от 272 | 47,63 |
Описание
Транзистор полевой (MOSFET) WMO18N50C4 производства WAYON. Представляет собой мощный N-канальный компонент, предназначенный для высоковольтных схем коммутации и преобразования энергии. Отличается низким сопротивлением открытого канала, что способствует снижению потерь и нагрева. Применяется в импульсных источниках питания, блоках питания светодиодов и силовой электронике.
Технические характеристики
| Корпус | TO-220 |
| T f typ | 11.6ns |
| T r typ | 11.7ns |
| Особенности | 100% UIS tested, RoHS compliant, Pb-free, Halogen free |
| Тип монтажа | THT |
| Q gd typ | 44.5nC |
| Q gs typ | 22.9nC |
| Q rr typ | 1.4μC |
| T rr typ | 170ns |
| V sd max | 1.2V |
| C iss typ | 670pF |
| C oss typ | 228pF |
| C rss typ | 1.38pF |
| I rrm typ | 17A |
| T d on typ | 11.7ns |
| Технология | Super Junction MOSFET (4th generation) |
| Артикул | WMO18N50C4 |
| R ds on max | 0.3Ω |
| R ds on typ | 0.25Ω |
| T d off typ | 66.2ns |
| V gs th max | 4V |
| V gs th min | 2V |
| V gs th typ | 3V |
| Применение | LED Lighting, Charger, Adapter, PC, LCD TV, Server |
| Производитель | Wayon |
| Корпус | DPAK/TO-252AA |
| Q g total typ | 113nC |
| V plateau typ | 5.0V |
| I drain pulsed | 50A |
| Коэф. сниж. | 0.6 W/°C |
| Рассеиваемая мощность | 75W |
| V gate source max | ±30V |
| Размеры упаковки | A: 9.70-10.20mm; B: 3.40-3.80mm; C: 8.90-9.40mm; D: 1.17-1.47mm; E: 2.60-3.40mm; F: 15.10-16.70mm; G: 19.55mm max; H: 2.54mm REF; I: 0.70-0.95mm; J: 9.35-11.00mm; K: 4.30-4.77mm; L: 1.20-1.45mm; M: 0.40-0.65mm; N: 2.20-2.60mm |
| V drain source max | 500V |
| I drain continuous 25c | 18A |
| Avalanche energy single | 130mJ |
| I drain continuous 100c | 10A |
| Макс. темп. хр. | 150°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Макс. раб. темп. | 150°C |
| Мин. раб. темп. | -55°C |
| Avalanche energy repetitive | 0.15mJ |
| Avalanche current repetitive | 2A |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 1.5 °C/W |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62 °C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?