Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный напряжение сток-исток 100В, ток стока 13А
У поставщика
ПроизводительWAYON
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
37 476 шт.
Норм. уп.: 2500
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:35 497 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2500
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 3,57 |
Склад 13
В наличии:1 979 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2500
Минимальная партия: 112 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 6,27 |
| от 135 | 5,68 |
| от 269 | 5,11 |
| от 537 | 4,68 |
| от 1 074 | 4,50 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канального типа от WAYON. Выдерживает напряжение сток-исток до 100 В и ток стока 13 А, выпускается в компактном корпусе DPAK/TO-252AA. Подходит для импульсных источников питания и цепей управления нагрузкой в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Корпус | DPAK/TO-252AA |
| Тип монтажа | SMD |
| Технология | advanced power trench |
| Описание | 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
| Артикул | WMO13N10TS |
| Применение | DC/DC Converter, LED Backlighting, Motor Control |
| Размеры a | 6.40-6.80mm |
| Размеры b | 5.13-5.50mm |
| Размеры c | 0.88-1.28mm |
| Размеры d | 5.90-6.22mm |
| Размер E | 0.68-1.10mm |
| Размеры F | 0.68-0.91mm |
| Dimensions g | 2.29mm REF |
| Размер H | 2.90mm REF |
| Dimensions i | 0.85-1.17mm |
| Dimensions j | 0.51mm REF |
| Dimensions k | 2.10-2.50mm |
| Длина | 0.40-1.00mm |
| Fall time tf | 27.8ns |
| Rise time tr | 19ns |
| Метод упаковки | Tape and Reel |
| Соотв. RoHS | Да |
| Gate resistance rg | 7.2Ω |
| Total gate charge qg | 4nC |
| Gate drain charge qgd | 1.1nC |
| Gate source charge qgs | 0.9nC |
| Input capacitance ciss | 195pF |
| Gate source voltage vgs | ±20V |
| Output capacitance coss | 31pF |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Drain source voltage vds | 100V |
| Pulsed drain current idm | 52A |
| Storage temperature tstg | -55 to 150°C |
| Turn on delay time td on | 12.6ns |
| Diode forward voltage vsd | 1.2V |
| Turn off delay time td off | 20ns |
| Forward transconductance gfs | 4S |
| Gate body leakage current igss | ±100nA |
| Total power dissipation pd tc25 | 39W |
| Continuous drain current id tc25 | 13A |
| Gate threshold voltage vgsth max | 2.5V |
| Gate threshold voltage vgsth min | 1V |
| Gate threshold voltage vgsth typ | 1.65V |
| Continuous drain current id tc100 | 8.2A |
| Continuous source current is tc25 | 13A |
| Operating junction temperature tj | -55 to 150°C |
| Reverse transfer capacitance crss | 2.5pF |
| Single pulse avalanche energy eas | 7.2mJ |
| Drain source breakdown voltage vbrdss | 100V |
| Thermal resistance junction case rthjc | 3.2°C/W |
| Thermal resistance junction ambient rthja | 52°C/W |
| Zero gate voltage drain current idss tj25 | 1µA |
| Zero gate voltage drain current idss tj100 | 100µA |
| Drain source on resistance rds on vgs10 max | 130mΩ |
| Drain source on resistance rds on vgs10 typ | 95mΩ |
| Drain source on resistance rds on vgs4 5 max | 190mΩ |
| Drain source on resistance rds on vgs4 5 typ | 135mΩ |
| Обратное напряжение, В | 100 |
| Ток, А | 13 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?