Документация
Транзистор WMO030N06HG4
У поставщика
У поставщиков
3 293 шт.
Норм. уп.: 2500
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:3 130 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2500
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 34,87 |
| от 110 | 31,48 |
| от 180 | 29,56 |
| от 290 | 28,04 |
| от 490 | 26,93 |
Склад 13
В наличии:163 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2500
Минимальная партия: 16 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 48,91 |
| от 42 | 44,92 |
| от 84 | 41,64 |
| от 168 | 39,18 |
| от 336 | 37,34 |
Описание
Транзистор полевой (MOSFET) WMO030N06HG4 от WAYON — это мощный N-канальный компонент, предназначенный для высокоэффективной коммутации. Модель отличается низким сопротивлением открытого канала, что минимизирует потери проводимости. Применяется в импульсных источниках питания, DC-DC преобразователях и цепях управления нагрузкой.
Технические характеристики
| Pd макс. | 96W |
| Rg typ | 2.2Ω |
| Tf тип. | 18ns |
| Tr тип. | 15ns |
| Gfs тип. | 89S |
| Маркировка | WMO030N06HG4 |
| Корпус | TO-252 |
| Qgd тип. | 14nC |
| Qgs тип. | 19.5nC |
| Макс. Vds | 60V |
| Макс. Vgs | ±20V |
| Тип. Ciss | 5425pF |
| Coss тип. | 1080pF |
| Тип. Crss | 26pF |
| Особенности | Low RDS(on), Low Gate Charge, 100% EAS Guaranteed, RoHS compliant, Halogen-Free Compliant |
| Igss макс. | ±100nA |
| Тип монтажа | SMD |
| Ток стока импульсный | 520A |
| Td(вкл) тип. | 26.5ns |
| Размеры | G: 2.29mm (ref); H: 2.90mm (ref); J: 0.51mm (ref); L1: 1.50mm (ref); A max: 6.80mm; A min: 6.40mm; B max: 5.50mm; B min: 5.13mm; C max: 1.28mm; C min: 0.88mm; D max: 6.22mm; D min: 5.90mm; E max: 1.10mm; E min: 0.68mm; F max: 0.91mm; F min: 0.68mm; I max: 1.17mm; I min: 0.85mm; K max: 2.50mm; K min: 2.10mm; L max: 1.00mm; L min: 0.40mm |
| Rds(вкл) макс. | 3.4mΩ |
| Rds(вкл) тип. | 2.5mΩ |
| Td(выкл) тип. | 73ns |
| Технология | 4th generation power trench MOSFET |
| Vgs порог макс. | 4V |
| Vgs порог мин. | 2V |
| Vgs(th) тип. | 2.8V |
| Тип устройства | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
| Vbr dss min | 60V |
| Применение | Power Management in Switches, DC/DC Converter |
| Тип. полный заряд затвора | 72.5nC |
| Корпус | DPAK/TO-252AA |
| Vsd diode max | 1.2V |
| Qrr body diode | 90nC |
| Trr body diode | 25ns |
| Idss max tj 25c | 1µA |
| Одиночный импульс EAS | 352.8mJ |
| Idss max tj 100c | 100µA |
| Vsd test condition | IS=20A, VGS=0V |
| Id continuous tc 25c | 130A |
| Id continuous tc 100c | 82.3A |
| Rds on test conditions | VGS=10V, ID=20A |
| Vbr dss test condition | VGS=0V, ID=250µA |
| Макс. темп. хр. | 150°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Is continuous source tc 25c | 130A |
| Описание (англ.) | N-Channel MOSFET Vds= 60V, Id = 130A |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Мин. темп. перехода | -55°C |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 1.3°C/W |
| Термосопротивление переход-среда | 48°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?