Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 14A
У поставщика
ПроизводительWAYON
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
113 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:113 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 8 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 104,48 |
| от 22 | 97,05 |
| от 50 | 91,00 |
| от 100 | 86,48 |
| от 200 | 83,11 |
Описание
Полевой MOSFET N-канальный транзистор WML16N65SR от WAYON рассчитан на напряжение 650 В и ток 14 А. Выполнен в изолированном корпусе TO-220F для удобного монтажа. Подходит для импульсных блоков питания и преобразователей в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Корпус | TO-220F |
| Тип монтажа | Выводной |
| Полярность | N-Channel |
| Время спада | 119ns |
| Время нарастания | 118ns |
| Технология | Super Junction MOSFET |
| Применение | LED Lighting, Charger, Adapter, PC, LCD TV, Server |
| Без галогенов | Да |
| Соотв. RoHS | Да |
| Gate charge total | 19.5nC |
| Вх. емкость | 915pF |
| Рассеиваемая мощность | 86W |
| Выходная емкость | 332pF |
| Время задержки включения | 225ns |
| Diode pulse current | 35A |
| Время задержки выключения | 668ns |
| Напряжение сток-исток | 650V |
| Gate plateau voltage | 5.5V |
| Gate to drain charge | 7.8nC |
| Импульсный ток стока | 35A |
| Напр. диода | 1.2V |
| Drain cut off current | 1μA |
| Gate to source charge | 4.7nC |
| Время обратного восстановления | 260ns |
| Gate source voltage ac | ±30V |
| Заряд обратного восстановления | 22.3μC |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Continuous drain current | 14A |
| Power dissipation to220f | 31W |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Drain cut off current 125c | 110μA |
| Drain source on resistance | 0.31Ω |
| Gate source voltage static | ±20V |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 4.5V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 2.5V |
| Тип. пороговое Uзи | 3.5V |
| Avalanche energy repetitive | 0.21mJ |
| Диап. раб. темп. | -55 to +150°C |
| Avalanche current repetitive | 2A |
| Gate leakage current forward | 100nA |
| Gate leakage current reverse | -100nA |
| Обратная проходная емкость | 1.7pF |
| Описание (англ.) | 650V 14A |
| Avalanche energy single pulse | 145mJ |
| Peak reverse recovery current | 19A |
| Макс. Rси вкл. | 0.35Ω |
| Continuous diode forward current | 14A |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 1.45°C/W |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62°C/W |
| Thermal resistance junction case to220f | 4°C/W |
| Thermal resistance junction ambient to220f | 80°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?