Документация
Драйвер WMB090N04LG2
У поставщика
У поставщиков
8 358 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:8 358 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 19,49 |
| от 191 | 17,16 |
| от 317 | 15,84 |
| от 526 | 14,80 |
| от 873 | 14,06 |
Описание
WAYON WMB090N04LG2 — N-канальный силовой MOSFET на 40 В с корпусом PDFN5060-8L для поверхностного монтажа. Выдерживает импульсный ток до 200 А, имеет низкое сопротивление открытого канала и малое время переключения. Применяется в управлении питанием и DC/DC-преобразователях.
Технические характеристики
| Корпус | PDFN5060-8L |
| Тип монтажа | SMD |
| Технология | 2nd generation power trench MOSFET |
| Описание | 40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
| Артикул | WMB090N04LG2 |
| Применение | Power Management in Switches, DC/DC Converter |
| Тип. время спада | 10.8ns |
| Тип. время нарастания | 5.5ns |
| Соотв. RoHS | Да |
| Размеры упаковки | Pitch e: 1.27mm BSC; Width e: 5.90-6.35mm; Height a: 0.90-1.20mm; Length d: 4.80-5.40mm |
| Gate resistance typ | 2.1Ω |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Напряжение сток-исток | 40V |
| Импульсный ток стока | 200A |
| Тип. заряд затвор-сток | 1.3nC |
| Тип. входная емкость | 772pF |
| Тип. заряд затвора | 6.5nC |
| Тип. заряд затвор-исток | 3.2nC |
| Green device available | Да |
| Выходная емкость тип. | 233pF |
| Время задержки вкл. тип. | 14.2ns |
| Общая рассеиваемая мощность | 32.9W (TC=25°C) |
| Время задержки выкл. тип. | 19.5ns |
| Continuous drain current | 50A (TC=25°C), 33A (TC=100°C) |
| Continuous source current | 50A (TC=25°C) |
| Напр. диода макс. | 1.2V (IS=1A) |
| Диап. темп. хр. | -55°C to 150°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 2.5V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 1V |
| Тип. пороговое Uзи | 1.6V |
| Forward transconductance typ | 34S |
| Энергия одиноч. импульса | 16.2mJ |
| Обр. проходная емкость тип. | 38pF |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 3.8°C/W |
| Body diode reverse recovery time typ | 19ns |
| Диапазон темп. перехода | -55°C to 150°C |
| Drain source on resistance vgs10v max | 9mΩ |
| Drain source on resistance vgs10v typ | 6mΩ |
| Body diode reverse recovery charge typ | 5nC |
| Drain source on resistance vgs4.5v max | 15mΩ |
| Drain source on resistance vgs4.5v typ | 9mΩ |
| Термосопротивление переход-среда | 56°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?