Документация
WMB080N10HG4, Транзистор полевой силовой MOSFET N канал 100В 85А PDFN5060-8L
У поставщика
ПроизводительWAYON
У поставщиков
2 800 шт.
Норм. уп.: 100
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:2 800 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 100
Минимальная партия: 1000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 62,10 |
| от 100 | 55,06 |
| от 1 000 | 51,65 |
Описание
Силовой N-канальный MOSFET от WAYON на напряжение 100 В и ток 85 А. Выполнен в компактном SMD-корпусе PDFN5060-8L, рассеиваемая мощность — до 104 Вт. Благодаря низкому сопротивлению и быстрому переключению подходит для импульсных источников питания и преобразователей в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Корпус | PDFN5060-8L |
| Тип монтажа | SMD |
| Время спада | 8.9ns |
| Время нарастания | 8.4ns |
| Корпус | PDFN5060 |
| Transconductance | 52S |
| Capacitance input | 1480pF |
| Gate charge drain | 5.7nC |
| Gate charge total | 23nC |
| Рассеиваемая мощность | 104W |
| Capacitance output | 736pF |
| Dimensions package | 4.80-5.40mm x 5.90-6.35mm |
| Gate charge source | 6.6nC |
| Время задержки включения | 9.3ns |
| Структура | N-канал |
| Время задержки выключения | 18ns |
| Voltage gate source | ±20V |
| Current pulsed drain | 340A |
| Voltage drain source | 100V |
| Threshold voltage gate | 2.5V to 3.5V |
| Current continuous drain | 85A |
| Макс. раб. темп. | 150°C |
| Мин. раб. темп. | -55°C |
| Body diode forward voltage | 1.2V |
| Resistance drain source on | 7.8mΩ |
| Capacitance reverse transfer | 18pF |
| Avalanche energy single pulse | 135.2mJ |
| Body diode reverse recovery time | 52ns |
| Body diode reverse recovery charge | 87nC |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 1.2°C/W |
| Body diode continuous source current | 85A |
| Термосопротивление переход-среда | 50°C/W |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 85 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?