Документация
Драйвер WMB060N10HGS
У поставщика
У поставщиков
52 738 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:46 629 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 43,07 |
| от 90 | 39,20 |
| от 140 | 37,01 |
| от 240 | 35,27 |
| от 400 | 33,98 |
Склад 13
В наличии:6 109 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 16 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 45,82 |
| от 79 | 42,34 |
| от 158 | 39,58 |
| от 315 | 37,18 |
| от 629 | 35,56 |
Описание
WMB060N10HGS — это N-канальный полевой транзистор (MOSFET) производства WAYON. Компонент предназначен для коммутации и регулирования тока в силовых цепях. Отличается низким сопротивлением открытого канала и высокой эффективностью, что делает его подходящим для использования в импульсных источниках питания и DC/DC-преобразователях.
Технические характеристики
| Тип | N-Channel MOSFET |
| Маркировка | 060N10HS |
| Корпус | PDFN5060-8L |
| Тип монтажа | SMD |
| Время спада | 6.2ns typ |
| Время нарастания | 13ns typ |
| Технология | Power Trench MOSFET |
| Применение | Power Management Switches, DC/DC Converter, LED Backlighting |
| Производитель | Wayon |
| Корпус | PDFN5*6 |
| Gate resistance | 1.4Ω typ |
| Gate charge total | 81.8nC typ |
| Заряд сток-затвор | 22.5nC typ |
| Вх. емкость | 5518pF typ |
| Рассеиваемая мощность | 113.6W |
| Заряд затвор-исток | 23.5nC typ |
| Выходная емкость | 655pF typ |
| Размеры упаковки | 5.0mm x 6.0mm x 1.2mm (typical) |
| Время задержки включения | 15.4ns typ |
| Время задержки выключения | 34ns typ |
| Импульсный ток стока | 380A |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Макс. напряжение сток-исток | 100V |
| Прямая крутизна | 58S typ |
| Continuous source current | 95A |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 4V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 2V |
| Тип. пороговое Uзи | 3V |
| Длительный ток стока 25°C | 95A |
| Обратная проходная емкость | 23pF typ |
| Описание (англ.) | N-Channel MOSFET Vds= 100V, Id = 95A |
| Непрерывный ток стока 100°C | 60A |
| Энергия одиноч. импульса | 245mJ |
| Body diode forward voltage max | 1.2V |
| Макс. Rси вкл. | 6mΩ at VGS=10V, ID=20A |
| Drain source on resistance typ | 4.6mΩ at VGS=10V, ID=20A |
| Body diode reverse recovery time | 55ns typ |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 1.1°C/W |
| Body diode reverse recovery charge | 101nC typ |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 60°C/W |
| Диапазон темп. перехода | -55 to 150°C |
Заметили ошибку в описании или параметрах?