Документация
Транзистор полевой WMB040N03LG2 / N-канал, PDFN5060-8L, 60А, 30В
У поставщика
ПроизводительWAYON
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
9 691 шт.
Норм. уп.: 20
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:9 000 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 26,82 |
| от 138 | 23,95 |
| от 230 | 22,33 |
| от 380 | 21,04 |
| от 635 | 20,12 |
Склад 13
В наличии:668 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 32 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 22,26 |
| от 46 | 20,91 |
| от 91 | 19,57 |
| от 182 | 18,52 |
| от 364 | 17,95 |
Склад 12
В наличии:23 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 20
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 33,12 |
| от 20 | 27,90 |
Описание
Транзистор полевой (MOSFET) N-канального типа от производителя WAYON. Компонент выполнен в компактном корпусе PDFN5060-8L, рассчитан на ток до 60 А и напряжение до 30 В. Предназначен для использования в цепях управления питанием, преобразователях напряжения и DC-DC преобразователях, где требуется высокая эффективность коммутации.
Технические характеристики
| Тип | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
| Корпус | PDFN5060-8L |
| Время спада | 4.5ns |
| Время нарастания | 20.5ns |
| Размеры | E: 1.27mm BSC; A max: 1.20mm; A min: 0.90mm; D max: 5.40mm; D min: 4.80mm; E max: 6.35mm; E min: 5.90mm; H max: 0.61mm; H min: 0.38mm; L max: 0.71mm; L min: 0.38mm; B max: 0.51mm; B min: 0.30mm; K min: 1.10mm; A3 max: 0.35mm; A3 min: 0.15mm; D1 max: 4.31mm; D1 min: 3.61mm; E1 max: 3.92mm; E1 min: 3.30mm; E2 max: 6.06mm; E2 min: 5.65mm; L1 max: 0.36mm; L1 min: 0.05mm; Θ max: 12°; Θ min: 0° |
| Артикул | WMB040N03LG2 |
| Без галогенов | Да |
| Корпус | PDFN3*3-8l |
| Тип монтажа | SMD |
| Соотв. RoHS | Да |
| Gate resistance | 2Ω |
| Лавинный ток | 42A |
| Заряд сток-затвор | 3.5nC |
| Вх. емкость | 1390pF |
| Полный заряд затвора | 15nC |
| Заряд затвор-исток | 5.9nC |
| Выходная емкость | 680pF |
| Время задержки включения | 7.7ns |
| Время задержки выключения | 21.8ns |
| Импульсный ток стока | 118A |
| Напр. диода | 1.0V |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Макс. напряжение сток-исток | 30V |
| Прямая крутизна | 76S |
| Continuous source current | 58A |
| Gate body leakage current | ±100nA |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 2.2V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 1.2V |
| Диапазон темп. перехода | -55 to 150°C |
| Total power dissipation 25c | 28W |
| Длительный ток стока 25°C | 58A |
| Обратная проходная емкость | 53pF |
| Непрерывный ток стока 100°C | 38A |
| Энергия одиноч. импульса | 88mJ |
| Напряжение пробоя сток-исток | 30V |
| Drain source on resistance vgs10v | 4.0mΩ |
| Drain source on resistance vgs4 5v | 6.2mΩ |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 4.5°C/W |
| Zero gate voltage drain current 25c | 1μA |
| Zero gate voltage drain current 55c | 5μA |
| Термосопротивление переход-среда | 51°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?