Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный напряжение сток-исток 100В, ток стока 3,3А
У поставщика
ПроизводительWAYON
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
39 934 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:37 899 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 6,15 |
| от 675 | 5,11 |
| от 1 125 | 4,53 |
| от 1 850 | 4,07 |
| от 3 075 | 3,76 |
Склад 13
В наличии:2 035 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 122 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 5,72 |
| от 189 | 5,19 |
| от 377 | 4,68 |
| от 753 | 4,23 |
| от 1 505 | 3,91 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от WAYON. Выдерживает напряжение сток-исток до 100 В и ток стока 3,3 А, выпускается в компактном корпусе SOT23-3. Подходит для коммутации нагрузок и цепей питания в бытовой электронике и промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Тип | MOSFET |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Технология | Trench LV MOSFET |
| Описание | N-Channel Enhancement MOSFET |
| Артикул | WM10N33M |
| Channel type | N-channel |
| Код маркировки | 1033 |
| Количество в катушке | 3000 |
| Соотв. RoHS | Да |
| Заряд сток-затвор | 1.4nC |
| Вх. емкость | 200pF |
| Рассеиваемая мощность | 1.5W |
| Полный заряд затвора | 4nC |
| Время нарастания | 19.5ns |
| Body diode voltage | Max: 1.2V; Condition: IS=3A, VGS=0V |
| Заряд затвор-исток | 0.6nC |
| Выходная емкость | 35pF |
| Размеры упаковки | A: 0.90-1.15mm; D: 2.80-3.00mm; E: 2.25-2.55mm; L: 0.55mm REF; B: 0.30-0.50mm; C: 0.08-0.15mm; E: 0.95mm BSC; A1: 0.00-0.10mm; E1: 1.20-1.40mm; E1: 1.80-2.00mm; Theta: 0-8° |
| Время спада | 29ns |
| Время задержки включения | 12.5ns |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Время задержки выключения | 20ns |
| Напряжение сток-исток | 100V |
| Импульсный ток стока | 13.2A |
| Примечание | code: 1033 |
| Gate threshold voltage | Max: 2.5V; Min: 1V; Typ: 1.65V |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Continuous drain current | 3.3A |
| Continuous source current | 3.3A |
| Gate body leakage current | ±100nA |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Drain source on resistance | Max: 130mΩ; Typ: 91mΩ; Condition: VGS=10V, ID=3A, Max: 160mΩ; Typ: 105mΩ; Condition: VGS=6V, ID=2A, Max: 190mΩ; Typ: 120mΩ; Condition: VGS=4.5V, ID=1A |
| Обратная проходная емкость | 2.5pF |
| Описание (англ.) | N-Channel MOSFET Vds= 100V, Id = 3,3A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 100V |
| Zero gate voltage drain current | 1µA |
| Диапазон темп. перехода | -55 to 150°C |
| Термосопротивление переход-среда | 83.3°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?