Документация
Транзистор WM06N30M
У поставщика
У поставщиков
409 718 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:345 454 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 4,04 |
| от 975 | 3,30 |
| от 1 625 | 2,90 |
| от 2 725 | 2,58 |
| от 4 550 | 2,36 |
Склад 14
В наличии:53 086 шт.
Срок поставки: до 7 дн.
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 3 000 | 2,99 |
Склад 13
В наличии:11 178 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 106 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 6,61 |
| от 274 | 5,69 |
| от 547 | 4,92 |
| от 1 094 | 4,32 |
| от 2 188 | 3,93 |
Описание
Транзистор WM06N30M от WAYON — полевой MOSFET. Работает при напряжении до 300 В и токе до 6 А, имеет низкое сопротивление открытого канала. Подходит для импульсных источников питания и цепей управления в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Тип | полевые (FETs, MOSFETs) |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Тип монтажа | SMD |
| Технология | Trench LV MOSFET |
| Описание | N-Channel Enhancement MOSFET |
| Артикул | WM06N30M |
| Производитель | Way-on |
| Код маркировки | 2310 |
| Размеры мм | L: 0.55 REF; E: 0.95 BSC; A max: 1.15; A min: 0.9; D max: 3; D min: 2.8; E max: 2.55; E min: 2.25; B max: 0.5; B min: 0.3; C max: 0.15; C min: 0.08; A1 max: 0.1; A1 min: 0; E1 max: 1.4; E1 min: 1.2; E1 max: 2; E1 min: 1.8; Theta max: 8°; Theta min: 0° |
| Соотв. RoHS | Да |
| Количество в упаковке | 3k/Reel |
| Rds on vgs 10v max | 100mΩ |
| Rds on vgs 10v typ | 75mΩ |
| Rds on vgs 4 5v max | 110mΩ |
| Rds on vgs 4 5v typ | 88mΩ |
| Power dissipation pd | 1.5W |
| Total gate charge qg | 5nC |
| Turn on rise time tr | 14.5ns |
| Gate drain charge qgd | 1.5nC |
| Turn off fall time tf | 9.8ns |
| Body diode voltage vsd | 1.2V |
| Gate source charge qgs | 1.7nC |
| Input capacitance ciss | 530pF |
| Gate source voltage vgs | ±20V |
| Output capacitance coss | 24pF |
| Drain source voltage vds | 60V |
| Pulsed drain current idm | 12A |
| Turn on delay time td on | 6ns |
| Turn off delay time td off | 15ns |
| Continuous drain current id | 3A |
| Continuous source current is | 3A |
| Gate body leakage current igss | ±100nA |
| Gate threshold voltage vgsth max | 2.5V |
| Gate threshold voltage vgsth min | 1V |
| Reverse transfer capacitance crss | 20pF |
| Junction storage temperature range | -55 to 150°C |
| Zero gate voltage drain current idss | 1µA |
| Drain source breakdown voltage vbrdss | 60V |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 83.3°C/W |
| Напряжение, В | 300 |
| Ток, А | 6 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?