Документация
Транзистор полевой WM04N50M / N-канал, 5А, 40В, SOT-23
У поставщика
ПроизводительWAYON
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
90 142 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:87 460 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 8,57 |
| от 475 | 7,23 |
| от 775 | 6,48 |
| от 1 300 | 5,88 |
| от 2 175 | 5,48 |
Склад 13
В наличии:2 682 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 66 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 10,48 |
| от 189 | 9,19 |
| от 378 | 8,11 |
| от 755 | 7,28 |
| от 1 509 | 6,69 |
Описание
Полевой транзистор WM04N50M от WAYON представляет собой N-канальный MOSFET. Компонент рассчитан на ток до 5 А и напряжение до 40 В, выпускается в компактном корпусе SOT-23. Благодаря низкому сопротивлению открытого канала подходит для коммутации нагрузок и DC/DC-преобразователей в портативной и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Технология | Trench LV MOSFET |
| Код маркировки | 40N5 |
| Соотв. RoHS | Да |
| Заряд сток-затвор | 1.9nC |
| Вх. емкость | 495pF |
| Рассеиваемая мощность | 1.2W |
| Полный заряд затвора | 10nC |
| Время нарастания | 49.5ns |
| Body diode voltage | 1.2V |
| Заряд затвор-исток | 1.4nC |
| Выходная емкость | 42pF |
| Размеры упаковки | 2.80-3.00mm x 2.25-2.55mm x 0.90-1.15mm |
| Время спада | 11ns |
| Время задержки включения | 15ns |
| Время задержки выключения | 19.2ns |
| Напряжение сток-исток | 40V |
| Импульсный ток стока | 19A |
| Примечание | code: 40N5 |
| Gate threshold voltage | 1-2.5V |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Continuous drain current | 5A |
| Continuous source current | 0.34A |
| Gate body leakage current | ±100nA |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Диапазон темп. перехода | -55 to 150°C |
| Обратная проходная емкость | 33pF |
| Описание (англ.) | N-Channel MOSFET Vds= 40V, Id = 5A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 40V |
| Zero gate voltage drain current | 1µA |
| Drain source on resistance at 10v | 45mΩ |
| Drain source on resistance at 4 5v | 60mΩ |
| Термосопротивление переход-среда | 104°C/W |
| Напряжение, В | 500 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?