Документация
Транзистор полевой WM03P41M
У поставщика
У поставщиков
35 601 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:32 410 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 4,62 |
| от 875 | 3,80 |
| от 1 450 | 3,35 |
| от 2 400 | 2,98 |
| от 3 975 | 2,74 |
Склад 13
В наличии:1 845 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 146 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 4,73 |
| от 408 | 3,97 |
| от 816 | 3,35 |
| от 1 632 | 2,88 |
| от 3 000 | 2,58 |
Склад 14
В наличии:1 346 шт.
Срок поставки: до 7 дн.
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 3 000 | 4,23 |
Описание
Транзистор полевой WM03P41M от WAYON — это MOSFET-ключ, предназначенный для коммутации и управления нагрузкой в цепях постоянного тока. Компонент отличается низким сопротивлением открытого канала, что обеспечивает минимальные потери мощности при работе. Применяется в импульсных источниках питания, DC-DC преобразователях и схемах защиты электронных устройств.
Технические характеристики
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Размеры | E: 0.95 mm BSC; L: 0.55 mm REF; A max: 1.15 mm; A min: 0.90 mm; B max: 0.50 mm; B min: 0.30 mm; C max: 0.15 mm; C min: 0.08 mm; D max: 3.00 mm; D min: 2.80 mm; E max: 2.55 mm; E min: 2.25 mm; A1 max: 0.10 mm; A1 min: 0.00 mm; E1 max: 1.40 mm; E1 min: 1.20 mm; Theta max: 8°; Theta min: 0°; E1 lead span: 1.80 to 2.00 mm |
| Технология | Trench LV MOSFET |
| Артикул | WM03P41M |
| Производитель | Way-on |
| Код маркировки | 3407 |
| Тип. время спада | 10 ns |
| Тип. время нарастания | 61 ns |
| Тип компонента | P-Channel Enhancement MOSFET |
| Соотв. RoHS | Да |
| Рассеиваемая мощность | 1.2W |
| Импульсный ток стока | -16A |
| Примечание | code: 3407 |
| Тип. заряд затвор-сток | 1.4 nC |
| Тип. входная емкость | 530 pF |
| Тип. заряд затвора | 6.8 nC |
| Тип. заряд затвор-исток | 1.0 nC |
| Выходная емкость тип. | 70 pF |
| Время задержки вкл. тип. | 14 ns |
| Gate source leakage max | ±100 nA |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Время задержки выкл. тип. | 19 ns |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Continuous drain current | -4.1A |
| Макс. напряжение сток-исток | -30V |
| Continuous source current | -4.1A |
| Напр. диода макс. | -1.2V |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150 °C |
| Drain source on resistance | Vgs -4.5V id -3A: Max: 85 mΩ; Typ: 54 mΩ; Vgs -10V id -4.1A: Max: 60 mΩ; Typ: 42 mΩ |
| Диапазон темп. перехода | -55 to +150 °C |
| Описание (англ.) | P-Channel MOSFET Vds= 30V, Id = 4.1A |
| Обр. проходная емкость тип. | 56 pF |
| Gate source threshold voltage max | -2.5V |
| Gate source threshold voltage min | -1V |
| Gate source threshold voltage typ | -1.5V |
| Мин. напряжение сток-исток пробоя | -30V |
| Zero gate voltage drain current max | -1 μA |
| Термосопротивление переход-среда | 104 °C/W |
| Тип | MOSFET |
Заметили ошибку в описании или параметрах?