Документация
Транзистор WM03N58M
У поставщика
У поставщиков
238 932 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 39срок до недели
Цена за шт5,45 ₽
Сумма545,00 ₽
В наличии234 060 шт
от 100 штюрлицам и ИП
от 725 — 4,51 ₽ (−17%)
Склад 13срок до недели
Цена за шт—
Сумма—
В наличии3 096 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 200 штюрлицам и ИП
продаётся от 200 штпри 200 — 4,17 ₽
100 шт · Склад 39 · 545,00 ₽
Описание
Транзистор WM03N58M производства WAYON представляет собой мощный полевой MOSFET-транзистор. Компонент предназначен для эффективной коммутации и управления нагрузкой в цепях постоянного тока. Отличается низким сопротивлением открытого канала, что способствует снижению тепловых потерь. Применяется в импульсных источниках питания, DC-DC преобразователях и схемах защиты электронных устройств.
Технические характеристики
| Тип | N-Channel Enhancement MOSFET |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Размеры | A: 0.90-1.15mm; B: 0.30-0.50mm; C: 0.08-0.15mm; D: 2.80-3.00mm; E: 2.25-2.55mm; L: 0.55mm REF; A1: 0.00-0.10mm; E1: 1.20-1.40mm; Theta: 0-8°; E pitch: 0.95mm BSC; E1 pitch: 1.80-2.00mm |
| Технология | Trench Power LV MOSFET |
| Артикул | WM03N58M |
| Код маркировки | WM03N58M |
| Соотв. RoHS | Да |
| Рассеиваемая мощность Pd | 1.2W |
| Общий заряд затвора (Qg) | 7.5nC |
| Время нарастания при включении (tr) | 7ns |
| Примечание | code: 3400 |
| Заряд затвор-сток (Qgd) | 2.1nC |
| Время спада при выключении (tf) | 6ns |
| Напряжение диода корпуса, В | 1.3V max |
| Заряд затвор-исток (Qgs) | 1.6nC |
| Входная ёмкость Ciss | 560pF |
| Напряжение затвор-исток, В | ±12V |
| Выходная ёмкость Coss | 70pF |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Напряжение сток-исток, В | 30V |
| Импульсный ток стока | 22A |
| Задержка включения (td on) | 5ns |
| Задержка выключения | 40ns |
| Длительный ток стока | 5.8A |
| Непрерывный ток истока | 5.8A |
| Описание (англ.) | N-Channel MOSFET Vds= 30V, Id = 5.8A |
| Пороговое напряжение затвора (Vgs th) | 0.7V to 1.4V |
| Ток утечки затвор-подложка (IGSS) | ±100nA |
| Drain source on resistance rds on | Vgs 10v: 35mΩ max; Vgs 2 5v: 52mΩ max; Vgs 4 5v: 40mΩ max |
| Обратная проходная ёмкость (Crss) | 50pF |
| Температура хранения перехода | -55 to +150°C |
| Напряжение пробоя сток-исток (BVDSS) | 30V |
| Ток стока при нулевом затворе IDSS | 1µA max |
| Термосопротивление переход-среда | 104°C/W |
| Напряжение, В | 30 |
| Ток, А | 0,58 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?