Документация
Транзистор WM03N57M
У поставщика
У поставщиков
425 385 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:422 239 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 2,40 |
Склад 13
В наличии:2 816 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 170 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 4,11 |
| от 251 | 3,66 |
| от 501 | 3,25 |
| от 1 001 | 2,93 |
| от 2 001 | 2,70 |
Склад 12
В наличии:330 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 500 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 6,21 |
| от 50 | 5,52 |
| от 500 | 5,49 |
Описание
Транзистор WM03N57M от WAYON — это полевой MOSFET-ключ. Он рассчитан на работу с напряжением до 30 В и током до 3 А, что делает его компактным и эффективным решением для коммутации. Применяется в цепях питания бытовой электроники и портативных устройств.
Технические характеристики
| Тип | полевые (FETs, MOSFETs) |
| Тип | N-Channel Enhancement MOSFET |
| Pd макс. | 1.2W |
| Тип. заряд затвора | 7.5nC |
| Tf тип. | 2.6ns |
| Tr тип. | 3.1ns |
| Корпус | SOT-23 |
| Qgd тип. | 2.1nC |
| Qgs тип. | 1.6nC |
| Макс. Vds | 30V |
| Макс. Vgs | ±20V |
| Тип. Ciss | 500pF |
| Coss тип. | 72pF |
| Тип. Crss | 58pF |
| Idss макс. | 1µA |
| Igss макс. | ±100nA |
| Тип монтажа | SMD |
| V sd max | 1V |
| Ток стока импульсный | 30A |
| Td(вкл) тип. | 6.4ns |
| Td(выкл) тип. | 15.0ns |
| Технология | Trench Power LV MOSFET |
| Vgs порог макс. | 2.5V |
| Vgs порог мин. | 1V |
| Vgs(th) тип. | 1.5V |
| Описание | N-Channel Enhancement MOSFET |
| Артикул | WM03N57M |
| Код маркировки | R4 |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Размеры мм | A: 0.90-1.15; D: 2.80-3.00; E: 2.25-2.55; L: 0.55 REF; B: 0.30-0.50; C: 0.08-0.15; E: 0.95 BSC; A1: 0.00-0.10; E1: 1.20-1.40; E1: 1.80-2.00; Theta: 0-8° |
| Id непрерывный | 5.8A |
| Непрерывный | 5.8A |
| Rds on vgs10v | 36mΩ |
| Rds on vgs4 5v | 45mΩ |
| Соотв. RoHS | Да |
| Заряд сток-затвор | 2.1nC typ |
| Вх. емкость | 500pF typ |
| Конфиг. выводов | Gate (G), Drain (D), Source (S) |
| Рассеиваемая мощность | 1.2W |
| Полный заряд затвора | 7.5nC typ |
| Время нарастания | 3.1ns typ |
| Body diode voltage | 1V max @ IS=1A |
| Заряд затвор-исток | 1.6nC typ |
| Выходная емкость | 72pF typ |
| Размеры упаковки | Width max: 2.55mm; Width min: 2.25mm; Макс. высота: 1.15mm; Height min: 0.90mm; Макс. длина: 3.00mm; Мин. длина: 2.80mm |
| Время спада | 2.6ns typ |
| Время задержки включения | 6.4ns typ |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Время задержки выключения | 15ns typ |
| Напряжение сток-исток | 30V |
| Импульсный ток стока | 30A |
| Gate threshold voltage | 1V min, 1.5V typ, 2.5V max |
| Continuous drain current | 5.8A |
| Continuous source current | 5.8A |
| Gate body leakage current | ±100nA max |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Диапазон темп. перехода | -55 to 150°C |
| Обратная проходная емкость | 58pF typ |
| Напряжение пробоя сток-исток | 30V min |
| Zero gate voltage drain current | 1µA max |
| Drain source on resistance vgs 10v | 25mΩ typ, 36mΩ max @ VGS=10V, ID=5.8A |
| Drain source on resistance vgs 4 5v | 35mΩ typ, 45mΩ max @ VGS=4.5V, ID=4.8A |
| Термосопротивление переход-среда | 104°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?