Документация
Транзистор WM03N57M
У поставщика
У поставщиков
3 146 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:2 816 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 310 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 2,23 |
| от 412 | 1,93 |
| от 824 | 1,69 |
| от 1 648 | 1,51 |
| от 3 000 | 1,39 |
Склад 12
В наличии:330 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 500 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 6,21 |
| от 50 | 5,52 |
| от 500 | 5,49 |
Описание
Транзистор WM03N57M от WAYON — это полевой MOSFET-ключ. Он рассчитан на работу с напряжением до 30 В и током до 3 А, что делает его компактным и эффективным решением для коммутации. Применяется в цепях питания бытовой электроники и портативных устройств.
Технические характеристики
| Тип | полевые (FETs, MOSFETs) |
| Тип | N-Channel Enhancement MOSFET |
| Pd макс. | 1.2W |
| Тип. заряд затвора | 7.5nC |
| Tf тип. | 2.6ns |
| Tr тип. | 3.1ns |
| Корпус | SOT-23 |
| Qgd тип. | 2.1nC |
| Qgs тип. | 1.6nC |
| Макс. Vds | 30V |
| Макс. Vgs | ±20V |
| Тип. Ciss | 500pF |
| Coss тип. | 72pF |
| Тип. Crss | 58pF |
| Idss макс. | 1µA |
| Igss макс. | ±100nA |
| Тип монтажа | SMD |
| V sd max | 1V |
| Ток стока импульсный | 30A |
| Td(вкл) тип. | 6.4ns |
| Td(выкл) тип. | 15.0ns |
| Технология | Trench Power LV MOSFET |
| Vgs порог макс. | 2.5V |
| Vgs порог мин. | 1V |
| Vgs(th) тип. | 1.5V |
| Артикул | WM03N57M |
| Код маркировки | R4 |
| Id непрерывный | 5.8A |
| Непрерывный | 5.8A |
| Rds on vgs10v | 36mΩ |
| Rds on vgs4 5v | 45mΩ |
| Соотв. RoHS | Да |
| Конфиг. выводов | Gate (G), Drain (D), Source (S) |
| Размеры упаковки | Width max: 2.55mm; Width min: 2.25mm; Макс. высота: 1.15mm; Height min: 0.90mm; Макс. длина: 3.00mm; Мин. длина: 2.80mm |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Диапазон темп. перехода | -55 to 150°C |
| Термосопротивление переход-среда | 104°C/W |