Документация
P-Channel MOSFET; -20 V; 2,3 A
У поставщика
ПроизводительWAYON
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
129 066 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:126 156 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 3,03 |
| от 1 275 | 2,45 |
| от 2 125 | 2,14 |
| от 3 550 | 1,89 |
| от 5 925 | 1,72 |
Склад 13
В наличии:2 910 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 182 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 3,81 |
| от 517 | 3,15 |
| от 1 034 | 2,61 |
| от 2 068 | 2,21 |
| от 6 000 | 1,97 |
Описание
P-Channel MOSFET от WAYON на напряжение -20 В и ток 2,3 А. Выполнен в компактном корпусе SOT23-3. Подходит для коммутации нагрузок и управления питанием в портативной и бытовой электронике.
Технические характеристики
| RoHS | RoHS Compliant |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Время спада | 9ns |
| Время нарастания | 10ns |
| Размеры | A:0.90-1.15mm, A1:0.00-0.10mm, b:0.30-0.50mm, c:0.08-0.15mm, D:2.80-3.00mm, E:2.25-2.55mm, E1:1.20-1.40mm, e:0.95mm, e1:1.9mm, L:0.45-0.65mm, θ:0-8° |
| Технология | Trench Power LV MOSFET |
| Тип устройства | P-Channel MOSFET |
| Артикул | WM02P23M |
| Код маркировки | 2301F |
| Корпус | SOT23-3 |
| On resistance | 90mΩ typ / 115mΩ max @ VGS=-4.5V, ID=-1.5A; 115mΩ typ / 145mΩ max @ VGS=-2.5V, ID=-1.5A; 155mΩ typ / 250mΩ max @ VGS=-1.8V, ID=-1.5A |
| Заряд сток-затвор | 0.9nC |
| Вх. емкость | 270pF |
| Рассеиваемая мощность | 0.7W |
| Полный заряд затвора | 3.9nC |
| Body diode voltage | -1.2V max (IS=-2A, VGS=0V) |
| Заряд затвор-исток | 0.7nC |
| Выходная емкость | 37pF |
| Время задержки включения | 12ns |
| Напряжение затвор-исток | ±10V |
| Время задержки выключения | 15ns |
| Напряжение сток-исток | -20V |
| Импульсный ток стока | -8A |
| Gate threshold voltage | -0.4V to -1.2V |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Continuous drain current | -2.3A (TA=25°C), -1.6A (TA=70°C) |
| Диап. темп. хр. | -55°C to 150°C |
| Switching test conditions | VGS=-4.5V, VDD=-10V, RL=5Ω, RGEN=3Ω |
| Capacitance test frequency | 1MHz |
| Gate source leakage current | ±100nA |
| Обратная проходная емкость | 29pF |
| Напряжение пробоя сток-исток | -20V min |
| Рабочая температура перехода | 150°C max |
| Zero gate voltage drain current | -1µA |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 178°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?